IXFH9N80 har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended


IXYS
I lager: 17
Enhetspris : kr 63,13000
Datablad

Similar


IXYS
I lager: 0
Enhetspris : kr 33,45363
Datablad

Similar


IXYS
I lager: 6
Enhetspris : kr 90,91000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
I lager: 453
Enhetspris : kr 74,75000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 932
Enhetspris : kr 49,99000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 544
Enhetspris : kr 56,79000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 173
Enhetspris : kr 64,83000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 574
Enhetspris : kr 46,21000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 396
Enhetspris : kr 0,00000
Datablad
TO-247_IXFH
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
TO-247_IXFH
HiPerFET_TO-247-3

IXFH9N80

DigiKeys produktnummer
IXFH9N80-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
IXFH9N80
Beskrivning
MOSFET N-CH 800V 9A TO247AD
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 800 V 9 A (Tc) 180W (Tc) Genomgående hål TO-247AD (IXFH)
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
800 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
900mOhm vid 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4,5V vid 2,5mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2600 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
180W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247AD (IXFH)
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.
Ej annullerbar/ej returnerbar