IXFH7N90Q har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar

FQH8N100C
onsemi
I lager: 346
Enhetspris : kr 56,47000
Datablad

Similar

STW12NK90Z
STMicroelectronics
I lager: 522
Enhetspris : kr 63,57000
Datablad

Similar

STW7NK90Z
STMicroelectronics
I lager: 72
Enhetspris : kr 45,77000
Datablad

Similar

STW9NK90Z
STMicroelectronics
I lager: 403
Enhetspris : kr 48,99000
Datablad

Similar

STW9NK95Z
STMicroelectronics
I lager: 613
Enhetspris : kr 36,91000
Datablad
Visa och jämför alla ersättningsprodukter
N-kanal 900 V 7 A (Tc) 180W (Tc) Genomgående hål TO-247AD (IXFH)
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 900 V 7 A (Tc) 180W (Tc) Genomgående hål TO-247AD (IXFH)
HiPerFET_TO-247-3

IXFH7N90Q

DigiKeys produktnummer
IXFH7N90Q-ND
Tillverkare
IXYS
Tillverkarens produktnummer
IXFH7N90Q
Beskrivning
MOSFET N-CH 900V 7A TO247AD
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 900 V 7 A (Tc) 180W (Tc) Genomgående hål TO-247AD (IXFH)
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
IXYS
Serie
HiPerFET™, Q Class
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
900 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
7 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
1,5Ohm vid 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V vid 2,5mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2200 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
180W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247AD (IXFH)
Inkapsling/låda
TO-247-3
Basproduktens nummer
IXFH7
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.
Ej annullerbar/ej returnerbar