IXFH60N60X har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended

IXFH60N65X2
IXYS
I lager: 5 072
Enhetspris : kr 119,30000
Datablad

Similar

IPW60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
I lager: 339
Enhetspris : kr 65,88000
Datablad

Similar

IPW65R048CFDAFKSA1
Infineon Technologies
I lager: 0
Enhetspris : kr 94,39000
Datablad

Similar

STW56N65M2
STMicroelectronics
I lager: 92
Enhetspris : kr 89,22000
Datablad
Visa och jämför alla ersättningsprodukter
N-kanal 600 V 60 A (Tc) 890W (Tc) Genomgående hål TO-247 (IXTH)
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IXFH60N60X

DigiKeys produktnummer
IXFH60N60X-ND
Tillverkare
IXYS
Tillverkarens produktnummer
IXFH60N60X
Beskrivning
MOSFET N-CH 600V 60A TO247
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 600 V 60 A (Tc) 890W (Tc) Genomgående hål TO-247 (IXTH)
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
IXYS
Serie
HiPerFET™, Ultra X
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
600 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
60 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
55mOhm vid 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4,5V vid 8mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
143 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5800 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
890W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247 (IXTH)
Inkapsling/låda
TO-247-3
Basproduktens nummer
IXFH60
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.