IXFH21N50Q har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Direkt


Vishay Siliconix
I lager: 2 874
Enhetspris : kr 49,92000
Datablad

Direkt


Vishay Siliconix
I lager: 0
Enhetspris : kr 0,00000
Datablad

Direkt


Vishay Siliconix
I lager: 591
Enhetspris : kr 102,97000
Datablad

Similar


onsemi
I lager: 2 123
Enhetspris : kr 44,01000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
I lager: 12 749
Enhetspris : kr 75,20000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 313
Enhetspris : kr 66,06000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 502
Enhetspris : kr 44,29000
Datablad
N-kanal 500 V 21 A (Tc) 280W (Tc) Genomgående hål TO-247AD (IXFH)
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 500 V 21 A (Tc) 280W (Tc) Genomgående hål TO-247AD (IXFH)
HiPerFET_TO-247-3

IXFH21N50Q

DigiKeys produktnummer
IXFH21N50Q-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
IXFH21N50Q
Beskrivning
MOSFET N-CH 500V 21A TO247AD
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 500 V 21 A (Tc) 280W (Tc) Genomgående hål TO-247AD (IXFH)
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
500 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
250mOhm vid 10,5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4,5V vid 4mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
280W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247AD (IXFH)
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.