Name: ISG0613N04NM6HATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISG0613N04NM6HATMA1TR-ND
Price: 52.45 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

ISG0613N04NM6HATMA1
DigiKeys produktnummer	448-ISG0613N04NM6HATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-ISG0613N04NM6HATMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-ISG0613N04NM6HATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	ISG0613N04NM6HATMA1
Beskrivning	MOSFET 2N-CH 40V 42A 10VITFN
Tillverkarens standardleveranstid	18 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	MOSFETs - matriser 40V 42A (Ta), 299A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Ytmontering PG-VITFN-10-1
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET-, MOSFET-matriser
Tillverkare	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-kanal (H-brygga)
FET-funktion	-
Drain till source-spänning (Vdss)	40V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	42A (Ta), 299A (Tc)
Rds On (max) @ Id, Vgs	0,88mOhm vid 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,8V vid 780µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	104nC vid 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	6200pF vid 20V
Effekt - max	3W (Ta), 167W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Inkapsling/låda	10-PowerVDFN
Leverantörens enhetsförpackning	PG-VITFN-10-1