Name: IPG20N10S4L22AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPG20N10S4L22AATMA1TR-ND
Price: 28.1125 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPG20N10S4L22AATMA1
DigiKeys produktnummer	IPG20N10S4L22AATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) IPG20N10S4L22AATMA1CT-ND - Remsbit (CT) IPG20N10S4L22AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPG20N10S4L22AATMA1
Beskrivning	MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Tillverkarens standardleveranstid	12 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	MOSFETs - matriser 100V 20A 60W Ytmontering, vätbar sida PG-TDSON-8-10
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPG20N10S4L22AATMA1 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET-, MOSFET-matriser
Tillverkare	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-kanal (dubbel)
FET-funktion	Logiknivågrind
Drain till source-spänning (Vdss)	100V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	20A
Rds On (max) @ Id, Vgs	22mOhm vid 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,1V vid 25µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	27nC vid 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1755pF vid 25V
Effekt - max	60W
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Monteringstyp	Ytmontering, vätbar sida
Inkapsling/låda	8-PowerVDFN
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TDSON-8-10
Basproduktens nummer	IPG20N