Name: IMSQ120R026M2HHXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMSQ120R026M2HHXUMA1TR-ND
Price: 259.05 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IMSQ120R026M2HHXUMA1
DigiKeys produktnummer	448-IMSQ120R026M2HHXUMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IMSQ120R026M2HHXUMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IMSQ120R026M2HHXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IMSQ120R026M2HHXUMA1
Beskrivning	SICFET 2N-CH 1200V 83A HDSOP16
Tillverkarens standardleveranstid	26 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	MOSFETs - matriser 1200V (1,2kV) 83 A (Tc) 410W (Tc) Ytmontering PG-HDSOP-16-221
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET-, MOSFET-matriser
Tillverkare	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ G2
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Konfiguration	2 N-kanal (H-brygga)
FET-funktion	-
Drain till source-spänning (Vdss)	1200V (1,2kV)
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	83 A (Tc)
Rds On (max) @ Id, Vgs	26mOhm vid 27A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	5,1V vid 8,6mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	54nC vid 0V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1990pF vid 800V
Effekt - max	410W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Inkapsling/låda	24-BSOP (0,606", bredd 15,40mm), 16 stift, exponerad kontaktyta
Leverantörens enhetsförpackning	PG-HDSOP-16-221