Name: IAUTN08S5N012LATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUTN08S5N012LATMA1TR-ND
Price: 81.3875 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IAUTN08S5N012LATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IAUTN08S5N012LATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IAUTN08S5N012LATMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IAUTN08S5N012LATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IAUTN08S5N012LATMA1
Beskrivning	MOSFET 2N-CH 80V 300A PG-HSOF
Tillverkarens standardleveranstid	18 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	MOSFETs - matriser 80V 300A (Tj) 375W (Tc) Ytmontering PG-HSOF-8-2
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IAUTN08S5N012LATMA1 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET-, MOSFET-matriser
Tillverkare	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-kanal, gemensam drain, gemensam source
FET-funktion	-
Drain till source-spänning (Vdss)	80V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	300A (Tj)
Rds On (max) @ Id, Vgs	1,15mOhm vid 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3,3V vid 275µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	24nC vid 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	15 340pF vid 40V
Effekt - max	375W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Ytmontering
Inkapsling/låda	8-PowerSFN
Leverantörens enhetsförpackning	PG-HSOF-8-2