FF6MR12W2M1B11BOMA1 har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Parametrisk ekvivalent


Infineon Technologies
I lager: 59
Enhetspris : kr 1 415,27000
Datablad
MOSFETs - matriser 1200V (1,2kV) 200A (Tj) Chassimontering AG-EASY2BM-2
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
MOSFETs - matriser 1200V (1,2kV) 200A (Tj) Chassimontering AG-EASY2BM-2
CoolSiC Mosfet Introduction
FP25R12W1T7_B11 1200 V, 25 A PIM IGBT Module | Datasheet Preview

FF6MR12W2M1B11BOMA1

DigiKeys produktnummer
FF6MR12W2M1B11BOMA1-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
FF6MR12W2M1B11BOMA1
Beskrivning
MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
MOSFETs - matriser 1200V (1,2kV) 200A (Tj) Chassimontering AG-EASY2BM-2
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillverkare
Infineon Technologies
Serie
Förpackning
Tråg
Artikelstatus
Föråldrad
Teknologi
Kiselkarbid (SiC)
Konfiguration
2 N-kanal (dubbel)
FET-funktion
-
Drain till source-spänning (Vdss)
1200V (1,2kV)
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
200A (Tj)
Rds On (max) @ Id, Vgs
5,63mOhm vid 200A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
5,55V vid 80mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
496nC vid 15V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
14700pF vid 800V
Effekt - max
-
Arbetstemperatur
-40°C-150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassimontering
Inkapsling/låda
Modul
Leverantörens enhetsförpackning
AG-EASY2BM-2
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.