Parametrisk ekvivalent




FF6MR12W2M1B11BOMA1 | |
|---|---|
DigiKeys produktnummer | FF6MR12W2M1B11BOMA1-ND |
Tillverkare | |
Tillverkarens produktnummer | FF6MR12W2M1B11BOMA1 |
Beskrivning | MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2 |
Kundreferens | |
Detaljerad beskrivning | MOSFETs - matriser 1200V (1,2kV) 200A (Tj) Chassimontering AG-EASY2BM-2 |
Datablad | Datablad |
Typ | Beskrivning | Välj alla |
|---|---|---|
Kategori | ||
Tillverkare | Infineon Technologies | |
Serie | ||
Förpackning | Tråg | |
Artikelstatus | Föråldrad | |
Teknologi | Kiselkarbid (SiC) | |
Konfiguration | 2 N-kanal (dubbel) | |
FET-funktion | - | |
Drain till source-spänning (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C | 200A (Tj) | |
Rds On (max) @ Id, Vgs | 5,63mOhm vid 200A, 15V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5,55V vid 80mA | |
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs | 496nC vid 15V | |
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds | 14700pF vid 800V | |
Effekt - max | - | |
Arbetstemperatur | -40°C-150°C (TJ) | |
Monteringstyp | Chassimontering | |
Inkapsling/låda | Modul | |
Leverantörens enhetsförpackning | AG-EASY2BM-2 | |
Basproduktens nummer |





