Name: IRFD9110
Brand: Harris Corporation
SKU: 2156-IRFD9110-ND
Price: 6.27214 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IRFD9110
DigiKeys produktnummer	2156-IRFD9110-ND
Tillverkare	Harris Corporation
Tillverkarens produktnummer	IRFD9110
Beskrivning	0.7A 100V 1.200 OHM P-CHANNEL
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 100 V 700mA (Ta) 1,3W (Ta) Genomgående hål 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 4V vid 250µA
Tillv. Harris Corporation	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V
Förpackning Bulk	Vgs (Max) ±20V
Artikelstatus Aktiv	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 25 V
FET-typ P-kanal	Effektförlust (max) 1,3W (Ta)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Arbetstemperatur -55°C-175°C (TJ)
Drain till source-spänning (Vdss) 100 V	Monteringstyp Genomgående hål
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 700mA (Ta)	Leverantörens enhetsförpackning 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 10V	Inkapsling/låda 4-DIP (0,300", 7,62mm)
Rds On (max) @ Id, Vgs 1,2Ohm vid 420mA, 10V	Basproduktens nummer IRFD9110

Rapportera produktinformationsfel

Dokument och media

Miljö- och exportklassificeringar

Ytterligare resurser

I lager: 8 452

Ej annullerbar/ej returnerbar

MARKETPLACE-PRODUKT

Skickas om ungefär 10 dagar från Rochester Electronics LLC

En separat kr 830,20 enhetstaxa för leveransen tillämpas

Maximal inköpsgräns

För att stödja alla kunders forsknings- och utvecklingsbehov har den här produkten en maximal inköpsnivå. Du kan köpa begränsningen en gång var trettionde dag och alla beställningar över begränsningen kan komma att annulleras.

Bulk:

8452

Antal

Alla priser är i SEK

Bulk