



GE12160CEA3 | |
|---|---|
DigiKeys produktnummer | 4014-GE12160CEA3-ND |
Tillverkare | |
Tillverkarens produktnummer | GE12160CEA3 |
Beskrivning | MOSFET 2N-CH 1200V 1.425KA MODUL |
Kundreferens | |
Detaljerad beskrivning | MOSFETs - matriser 1200V (1,2kV) 1,425kA (Tc) 3750W Chassimontering Modul |
Datablad | Datablad |
Typ | Beskrivning | Välj alla |
|---|---|---|
Kategori | ||
Tillverkare | GE Aerospace | |
Serie | ||
Förpackning | Bulk | |
Artikelstatus | Aktiv | |
Teknologi | Kiselkarbid (SiC) | |
Konfiguration | 2 N-kanal (H-brygga) | |
FET-funktion | - | |
Drain till source-spänning (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C | 1,425kA (Tc) | |
Rds On (max) @ Id, Vgs | 1,5mOhm vid 475A, 20V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4,5V vid 480mA | |
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs | 3744nC vid 18V | |
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds | 90000pF vid 600V | |
Effekt - max | 3750W | |
Arbetstemperatur | -55°C-175°C (TJ) | |
Godkännande | AEC-Q101 | |
Monteringstyp | Chassimontering | |
Inkapsling/låda | Modul | |
Leverantörens enhetsförpackning | Modul | |
Basproduktens nummer |
| Antal | Enhetspris | Totalpris |
|---|---|---|
| 1 | kr 80 274,16000 | kr 80 274,16 |
| Enhetspris exkl. moms: | kr 80 274,16000 |
|---|---|
| Enhetspris inkl. moms: | kr 100 342,70000 |





