MOSFETs - matriser 1200V (1,2kV) 1,425kA (Tc) 3750W Chassimontering Modul
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
MOSFETs - matriser 1200V (1,2kV) 1,425kA (Tc) 3750W Chassimontering Modul
GE12160CEA3
GE12160CEA3

GE12160CEA3

DigiKeys produktnummer
4014-GE12160CEA3-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
GE12160CEA3
Beskrivning
MOSFET 2N-CH 1200V 1.425KA MODUL
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
MOSFETs - matriser 1200V (1,2kV) 1,425kA (Tc) 3750W Chassimontering Modul
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillverkare
GE Aerospace
Serie
Förpackning
Bulk
Artikelstatus
Aktiv
Teknologi
Kiselkarbid (SiC)
Konfiguration
2 N-kanal (H-brygga)
FET-funktion
-
Drain till source-spänning (Vdss)
1200V (1,2kV)
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
1,425kA (Tc)
Rds On (max) @ Id, Vgs
1,5mOhm vid 475A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4,5V vid 480mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
3744nC vid 18V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
90000pF vid 600V
Effekt - max
3750W
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Godkännande
AEC-Q101
Monteringstyp
Chassimontering
Inkapsling/låda
Modul
Leverantörens enhetsförpackning
Modul
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 12
MARKETPLACE-PRODUKT
Skickas om ungefär 10 dagar från GE Aerospace
En separat kr 182,46 enhetstaxa för leveransen tillämpas
Information om datumkoder kommer att inkluderas vid leveransen av produkten.
Alla priser är i SEK
Bulk
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 80 274,16000kr 80 274,16
Enhetspris exkl. moms:kr 80 274,16000
Enhetspris inkl. moms:kr 100 342,70000