N-kanal 1200 V 125A (Tc) 600W (Tc) Genomgående hål TO-247
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

DIW120SIC023-AQ

DigiKeys produktnummer
4878-DIW120SIC023-AQ-ND
Tillverkare
Diotec Semiconductor
Tillverkarens produktnummer
DIW120SIC023-AQ
Beskrivning
SICFET N-CH 1200V 125A TO-247-3
Tillverkarens standardleveranstid
10 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 1200 V 125A (Tc) 600W (Tc) Genomgående hål TO-247
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
DIW120SIC023-AQ Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Diotec Semiconductor
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)
1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
125A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
18V
Rds On (max) @ Id, Vgs
23mOhm vid 75A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
2,9V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 18 V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6150 pF @ 1000 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
600W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
Automotive
Godkännande
AEC-Q101
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247
Inkapsling/låda
TO-247-3
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 545
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 805,32000kr 805,32
30kr 647,92833kr 19 437,85
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 805,32000
Enhetspris inkl. moms:kr 1 006,65000