N-kanal 650 V 36 A (Tc) 175W (Tc) Genomgående hål TO-247
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

DIW065SIC080

DigiKeys produktnummer
4878-DIW065SIC080-ND
Tillverkare
Diotec Semiconductor
Tillverkarens produktnummer
DIW065SIC080
Beskrivning
SICFET N-CH 650V 36A TO-247-3
Tillverkarens standardleveranstid
10 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 36 A (Tc) 175W (Tc) Genomgående hål TO-247
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
DIW065SIC080 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Diotec Semiconductor
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
36 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
18V
Rds On (max) @ Id, Vgs
80mOhm vid 15A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 5mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+18V, -5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1480 pF @ 600 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
175W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247
Inkapsling/låda
TO-247-3
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 150
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 90,15000kr 90,15
30kr 53,22700kr 1 596,81
120kr 45,12417kr 5 414,90
510kr 41,17965kr 21 001,62
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 90,15000
Enhetspris inkl. moms:kr 112,68750