N-kanal 650 V 60 A (Tc) 550W (Tc) Genomgående hål TO-247
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

DIW065SIC049

DigiKeys produktnummer
4878-DIW065SIC049-ND
Tillverkare
Diotec Semiconductor
Tillverkarens produktnummer
DIW065SIC049
Beskrivning
SICFET N-CH 650V 60A TO-247-3
Tillverkarens standardleveranstid
10 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 60 A (Tc) 550W (Tc) Genomgående hål TO-247
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
DIW065SIC049 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Diotec Semiconductor
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
60 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
18V
Rds On (max) @ Id, Vgs
49mOhm vid 30A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 10mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
128 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+18V, -5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2612 pF @ 600 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
550W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247
Inkapsling/låda
TO-247-3
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 148
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 138,96000kr 138,96
30kr 85,14900kr 2 554,47
120kr 73,36925kr 8 804,31
510kr 72,37688kr 36 912,21
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 138,96000
Enhetspris inkl. moms:kr 173,70000