N-kanal 1200 V 120 A (Tc) 340W (Tc) Genomgående hål TO-247-4
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

DIF120SIC022

DigiKeys produktnummer
4878-DIF120SIC022-ND
Tillverkare
Diotec Semiconductor
Tillverkarens produktnummer
DIF120SIC022
Beskrivning
SICFET N-CH 1200V 120A TO-247-4
Tillverkarens standardleveranstid
9 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 1200 V 120 A (Tc) 340W (Tc) Genomgående hål TO-247-4
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
DIF120SIC022 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Diotec Semiconductor
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)
1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
120 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
18V
Rds On (max) @ Id, Vgs
22,3mOhm vid 75A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 23,5mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
269 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+18V, -4V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4817 pF @ 1000 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
340W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247-4
Inkapsling/låda
TO-247-4
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 150
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 283,64000kr 283,64
30kr 184,18633kr 5 525,59
120kr 165,53867kr 19 864,64
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 283,64000
Enhetspris inkl. moms:kr 354,55000