Name: DMWSH120H28SM4
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMWSH120H28SM4-ND
Price: 322.3625 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

DMWSH120H28SM4
DigiKeys produktnummer	31-DMWSH120H28SM4-ND
Tillverkare	Diodes Incorporated
Tillverkarens produktnummer	DMWSH120H28SM4
Beskrivning	SICFET N-CH 1200V TO-247
Tillverkarens standardleveranstid	12 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 1200 V 100 A (Tc) 429W (Tc) Genomgående hål TO-247-4
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Diodes Incorporated
Serie	-
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	100 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	15V
Rds On (max) @ Id, Vgs	28.5mOhm vid 50A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id	3,6V vid 17,7mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	173.7 nC @ 15 V
Vgs (Max)	+19V, -8V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	3944 pF @ 1000 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	429W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	TO-247-4
Inkapsling/låda	TO-247-4

Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 25

Fabrikslager: 34 110

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Rör

Antal	Enhetspris	Totalpris
1	kr 257,89000	kr 257,89
30	kr 167,01000	kr 5 010,30
120	kr 164,66625	kr 19 759,95

Tillverkarens standardförpackning

Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.