Name: DMWS120H100SM4
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMWS120H100SM4-ND
Price: 238.85 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

DMWS120H100SM4
DigiKeys produktnummer	31-DMWS120H100SM4-ND
Tillverkare	Diodes Incorporated
Tillverkarens produktnummer	DMWS120H100SM4
Beskrivning	SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Tillverkarens standardleveranstid	40 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 1200 V 37,2 A (Tc) 208W (Tc) Genomgående hål TO-247-4
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Diodes Incorporated
Serie	-
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	37,2 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	15V
Rds On (max) @ Id, Vgs	100mOhm vid 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id	3,5V vid 5mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	52 nC @ 15 V
Vgs (Max)	+19V, -8V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1516 pF @ 1000 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	208W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	TO-247-4
Inkapsling/låda	TO-247-4
Basproduktens nummer	DMWS120

Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 27

Fabrikslager: 1 830

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Rör

Antal	Enhetspris	Totalpris
1	kr 191,08000	kr 191,08
30	kr 120,47500	kr 3 614,25
120	kr 112,53850	kr 13 504,62

Tillverkarens standardförpackning

Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.