Name: DMT8012LFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT8012LFG-7DITR-ND
Price: 17.4875 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

DMT8012LFG-7
DigiKeys produktnummer	DMT8012LFG-7DITR-ND - Remsa och spole (TR) DMT8012LFG-7DICT-ND - Remsbit (CT) DMT8012LFG-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Diodes Incorporated
Tillverkarens produktnummer	DMT8012LFG-7
Beskrivning	MOSFET N-CH 80V PWRDI3333
Tillverkarens standardleveranstid	12 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 80 V 9,5 A (Ta), 35 A (Tc) 2,2W (Ta), 30W (Tc) Ytmontering POWERDI3333-8
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Diodes Incorporated
Serie	-
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	80 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	9,5 A (Ta), 35 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	16mOhm vid 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	34 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1949 pF @ 40 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	2,2W (Ta), 30W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	POWERDI3333-8
Inkapsling/låda	8-PowerVDFN
Basproduktens nummer	DMT8012