Name: DMN6013LFGQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN6013LFGQ-13-ND
Price: 4.14619 SEK
Availability: OutOfStock

DMN6013LFGQ-13
DigiKeys produktnummer	DMN6013LFGQ-13-ND - Remsa och spole (TR)
Tillverkare	Diodes Incorporated
Tillverkarens produktnummer	DMN6013LFGQ-13
Beskrivning	MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
Tillverkarens standardleveranstid	40 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 60 V 10,3 A (Ta), 45 A (Tc) 1W (Ta) Ytmontering POWERDI3333-8
Datablad	Datablad

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Diodes Incorporated
Serie	-
Förpackning	Remsa och spole (TR)
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	60 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	10,3 A (Ta), 45 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	13mOhm vid 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	55.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	2577 pF @ 30 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	1W (Ta)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	POWERDI3333-8
Inkapsling/låda	8-PowerVDFN
Basproduktens nummer	DMN6013

Enhetspris exkl. moms:	kr 3,31695
Enhetspris inkl. moms:	kr 4,14619

DMN6013LFGQ-13