DMG4812SSS-13 har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar

AO4468
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
I lager: 6 068
Enhetspris : kr 8,39000
Datablad

Similar

FDS6690A
onsemi
I lager: 7 888
Enhetspris : kr 11,77000
Datablad

Similar

FDS8878
onsemi
I lager: 5 112
Enhetspris : kr 8,39000
Datablad

Similar

SI4178DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
I lager: 6 760
Enhetspris : kr 9,85000
Datablad
Visa och jämför alla ersättningsprodukter
N-kanal 30 V 8 A (Ta) 1,54W (Ta) Ytmontering 8-SO
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 30 V 8 A (Ta) 1,54W (Ta) Ytmontering 8-SO
8SO

DMG4812SSS-13

DigiKeys produktnummer
DMG4812SSS-13DITR-ND - Remsa och spole (TR)
Tillverkare
Diodes Incorporated
Tillverkarens produktnummer
DMG4812SSS-13
Beskrivning
MOSFET N-CH 30V 8A 8SO
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 30 V 8 A (Ta) 1,54W (Ta) Ytmontering 8-SO
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
DMG4812SSS-13 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Diodes Incorporated
Serie
-
Förpackning
Remsa och spole (TR)
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
30 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
8 A (Ta)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
15mOhm vid 10,7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2,3V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
18.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1849 pF @ 15 V
FET-funktion
Schottkydiod (hölje)
Effektförlust (max)
1,54W (Ta)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
8-SO
Inkapsling/låda
8-SOIC (Bredd 0,154", 3,90mm)
Basproduktens nummer
DMG4812
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.