CDM2206-800LR SL PBFREE har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar

IPP80R1K2P7XKSA1
Rochester Electronics, LLC
I lager: 75 775
Enhetspris : kr 14,95000
Datablad

Similar

STP7LN80K5
STMicroelectronics
I lager: 445
Enhetspris : kr 26,57000
Datablad

Similar

STP9NK60Z
STMicroelectronics
I lager: 857
Enhetspris : kr 32,29000
Datablad

Similar

TK7E80W,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
I lager: 70
Enhetspris : kr 40,32000
Datablad
Visa och jämför alla ersättningsprodukter
N-kanal 800 V 6 A (Tc) 110W (Tc) Genomgående hål TO-220-3
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

CDM2206-800LR SL PBFREE

DigiKeys produktnummer
1514-CDM2206-800LRSLPBFREE-ND
Tillverkare
Central Semiconductor Corp
Tillverkarens produktnummer
CDM2206-800LR SL PBFREE
Beskrivning
MOSFET N-CH 800V 6A TO220
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 800 V 6 A (Tc) 110W (Tc) Genomgående hål TO-220-3
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Central Semiconductor Corp
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
800 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
6 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
950mOhm vid 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
24.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
30V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
110W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-220-3
Inkapsling/låda
TO-220-3
Basproduktens nummer
CDM2206
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.