CDM22010-650 SL har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar

IPP80R1K2P7XKSA1
Rochester Electronics, LLC
I lager: 75 775
Enhetspris : kr 14,95000
Datablad

Similar

IPP80R900P7XKSA1
Rochester Electronics, LLC
I lager: 10 047
Enhetspris : kr 8,02739
Datablad

Similar

IRFBC40APBF
Vishay Siliconix
I lager: 896
Enhetspris : kr 29,62000
Datablad

Similar

IRFBC40PBF
Vishay Siliconix
I lager: 474
Enhetspris : kr 29,62000
Datablad

Similar

STP7LN80K5
STMicroelectronics
I lager: 445
Enhetspris : kr 26,57000
Datablad
Visa och jämför alla ersättningsprodukter
N-kanal 650 V 10 A (Ta) 2W (Ta), 156W (Tc) Genomgående hål TO-220-3
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

CDM22010-650 SL

DigiKeys produktnummer
CDM22010-650SL-ND
Tillverkare
Central Semiconductor Corp
Tillverkarens produktnummer
CDM22010-650 SL
Beskrivning
MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 10 A (Ta) 2W (Ta), 156W (Tc) Genomgående hål TO-220-3
EDA-/CAD-modeller
CDM22010-650 SL Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Central Semiconductor Corp
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
10 A (Ta)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
1Ohm vid 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
30V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1168 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2W (Ta), 156W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-220-3
Inkapsling/låda
TO-220-3
Basproduktens nummer
CDM22010
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.