N-kanal 1200 V 34 A (Tc) 160W (Tc) Genomgående hål TO-247-4L
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 1200 V 34 A (Tc) 160W (Tc) Genomgående hål TO-247-4L
TO-247-4

NTH4L070N120M3S

DigiKeys produktnummer
5556-NTH4L070N120M3S-ND
Tillverkare
onsemi
Tillverkarens produktnummer
NTH4L070N120M3S
Beskrivning
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Tillverkarens standardleveranstid
20 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 1200 V 34 A (Tc) 160W (Tc) Genomgående hål TO-247-4L
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
onsemi
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)
1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
34 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
18V
Rds On (max) @ Id, Vgs
87mOhm vid 15A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4,4V vid 7mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1230 pF @ 800 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
160W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247-4L
Inkapsling/låda
TO-247-4
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 169
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 85,63000kr 85,63
10kr 58,72000kr 587,20
450kr 38,50611kr 17 327,75
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 85,63000
Enhetspris inkl. moms:kr 107,03750
Du är kanske också intresserad av
1 Artiklar
IMZ120R060M1HXKSA1

IMZ120R060M1HXKSA1

SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4

Infineon Technologies

kr 97,16000