AOT8N65 har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar


IXYS
I lager: 240
Enhetspris : kr 68,24000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 0
Enhetspris : kr 14,50755
Datablad

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
I lager: 70
Enhetspris : kr 43,97000
Datablad
N-kanal 650 V 8 A (Tc) 208W (Tc) Genomgående hål TO-220
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

AOT8N65

DigiKeys produktnummer
AOT8N65-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
AOT8N65
Beskrivning
MOSFET N-CH 650V 8A TO220
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 8 A (Tc) 208W (Tc) Genomgående hål TO-220
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
1,15Ohm vid 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4,5V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1400 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
208W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-220
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.