LMG1025-Q1 enkanalig gatedrivkrets för fordonssektorn

Texas Instruments LMG1025-Q1, en enkanalig drivkrets för GaN FET med enhancement-mode på lågsidan och logiknivå-MOSFET, är konstruerad för fordonstillämpningar med höga switchningsfrekvenser. Komponenten erbjuder smal pulsbreddsförmåga, snabba switchningsspecifikationer och låg pulsdistorsion för att avsevärt förbättra prestandan från LiDAR, TOF och effektomformare. 1,25 ns utgångspulsbredd möjliggör mer kraftfulla, ögonsäkra diodpulser. Dessa pulser kombinerat med 300 ns distorsion, innebär längre räckvidd och mer precisa LiDAR/TOF-system. Drivkretsen erbjuder 2,9 ns utbredningsfördröjning, vilket märkbart förbättrar responstiden för reglerloopen och totalprestandan för effektomformarna. Den delade utgången gör det möjligt att oberoende justera drivstyrkan och timingen genom externa motstånd mellan OUTH, OUTL och FET-styret.

MOSFET-drivkretsen har underspänningsspärr (UVLO) och övertemperaturskydd (OTP) för att säkerställa att enheten inte skadas i överlast- eller feltillstånd. LMG1025-Q1 är tillgänglig i ett kompakt, benlöst, AEC-Q100-fordonskvalificerat format för att uppfylla kraven på storlek och gateloop-induktans som ställs av fordonstillämpningar med hög switchningsfrekvens.