STGAP2SiCS: galvaniskt isolerad Single Gate-drivkrets för SiC-MOSFET:ar

STMicroelectronics STGAP2SiCS är en gatedrivkrets tillverkad med BCD6s-teknik för högspänning (upp till 1200 V). Den ingår i en 6 kV galvanisk isolering mellan styrets (gatens) drivkanal och styrnings-/gränssnittskretsarna med lågspänning. Den ingår i den 6 kV galvaniskt isolerade familjen i en kompakt kapsling. Komponenten kan mata in eller ut (sink resp. source) upp till 4 A. Risken för korskonduktion är eliminerad med hjälp av en förreglingsfunktion. Enheten har dedikerade ingångspinnar för varje utgång Logikingångarna är CMOS/TTL-kompatibla ned till 3,3 V för enkel hopkoppling med styrdon. Fördröjningsmatchning mellan lågsida och högsida eliminerar cykeldistorsion och möjliggör högfrekvensdrift. STGAP2SiCS finns tillgänglig i två olika konfigurationer. Konfigurationen med en separat utgångspinne möjliggör för användarna att optimera påslagning och frånslagning oberoende av varandra med hjälp av ett separat gate-motstånd. Konfigurationen med bara en utgångspinne och Miller-begränsningsfunktion förhindrar gate-spikar under snabba kommuteringar i topologier med halvbrygga.