MASTERGAN1 effektkoncentrerad halvbrygga

STMicroelectronics MASTERGAN1 är den första 600 V drivkretsen med halvbrygga med inkapslat GaN HEMT-system (SiP) i världen och det första elementet i MASTERGAN-plattformen. MASTERGAN1 är kompakt, vilket gör det möjligt att implementera den effektkoncentrerade strömförsörjningen, som är fyra gånger mindre än t.o.m. försörjningar baserade på MOSFET-switchar, tack vare högre switchningsfrekvens för GaN-komponenter och hög integration av både drivkretsen och två GaN-switchar i samma kapsling. Den erbjuder också robusthet. Offline-drivkretsen är optimerad för GaN HEMT för snabb, effektiv och säker drivning och layoutförenkling. Diskreta GaN-switchar kan utsättas för hård hantering, men den inbäddade drivkretsen hanterar GaN-switchar för att förenkla konstruktion av strömförsörjningar.