GD3100 IGBT-gatedrivkrets

NXP:s MC33GD3100 är en avancerad, enkanalig gatedrivkrets för IGBT och SiC Power MOSFETs. Den har inbyggd galvanisk isolering, låg on-resistans: drivtransistorer (som erbjuder hög laddnings- och urladdningsström), låg dynamisk mättningsspänning och gate-spänningsstyrning rail-to-rail för kostnads- och utrymmesbesparingar. Ström- och temperaturavkänningsfunktioner minimerar IGBT-belastningen i händelse av fel. Korrekt och konfigurerbar underspänningsspärr (UVLO) skyddar och säkerställer samtidigt tillräcklig frihöjd för gatedrivkretsspänningen. MC33GD3100 hanterar självständigt allvarliga fel och rapporterar sedan fel och tillstånd via ett INTP-stift och ett SPI-gränssnitt. Den klarar att direkt driva styrena (gates) på de flesta IGBT och SiC MOSFET:s. Självtest, styrning och skyddsfunktioner ingår för konstruktionen av tillförlitliga ASIL C/D-system.