IX4352NE drivkrets för 9 A för SiC MOSFET:ar och IGBT på sekundärsidan

Gatedrivkretsen IX4352NE från företag inomIXYS, ett Littelfuse Technology, är särskilt utformad för att driva SiC MOSFET:ar och IGBT för hög effekt. Separata source- och sink-utgångar på 9 A ger möjlighet till skräddarsydd timing för till- och frånslag samtidigt som switchningsförlusterna minimeras. En intern negativ laddningsregulator tillhandahåller en negativ förspänning för gatedrivkretsen som användaren kan välja, för förbättrad dV/dt-immunitet och snabbare avstängning.

Detekteringskretsar för desaturering känner av ett överströmstillstånd i SiC MOSFET:en och initierar en mjuk avstängning, vilket förhindrar en potentiellt skadlig dV/dt-händelse. Den icke-inverterande logiska ingången, IN, är TTL- och CMOS-kompatibel; interna nivåväxlare tillhandahåller den nödvändiga förspänningen för att hantera negativa förspänningar i gatedrivkretsen. Ytterligare skyddsfunktioner inkluderar detektering av låsning vid underspänning och termisk avstängning. En FAULT-utgång med open drain signalerar ett feltillstånd till microcontrollern.