LTC7890/LTC7891 DC/DC-switchregulatorstyrning

LTC7890 och LTC7891 från ADI är högeffektiva DC/DC-switchregulatorstyrningar med dubbel step-down dom kan driva alla synkrona fälteffekttransistorer (FET) av galliumnitrid (GaN) med N-kanal från inspänningar på upp till 100 V. De löser många av de utmaningar som traditionellt har uppstått vid användning av GaN FET:ar. LTC7890 och LTC7891 förenklar konstruktionen av tillämpningen och kräver inga skyddsdioder eller ytterligare externa komponenter jämfört med en MOSFET-lösning (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) i kisel.

De interna smarta startswitcharna förhindrar överladdning av stiftet BOOSTx till SWx-stiftet på primärsidans drivenhet vid dödtid, vilket skyddar gaten på den översta GaN FET:en. LTC7890 och LTC7891 optimerar gate driver-timingen för båda switchflankerna internt för att uppnå smarta dödtider nära noll, för att förbättra effektiviteten avsevärt och möjliggöra högfrekvent drift, även vid höga inspänningar. Eller så kan användaren justera dödtiderna med externa resistorer för marginal eller för att specialanpassa tillämpningen.

Gate-drivspänningen för LTC7890 och LTC7891 kan justeras exakt från 4 till 5,5 V för att optimera prestanda och möjliggöra användning av olika GaN FET:ar eller till och med MOSFET:ar på logiknivå.

Demonstrationskretsen DC2938A är en icke-isolerad synkron step-down med dubbla utgångar som kan driva alla GaN FET-effektsteg med N-kanal. DC2938A innehåller en LTC7890, som är en synkron DC/DC-regulator med låg viloström och hög frekvens (programmerbar fast frekvens från 100 kHz upp till 3 MHz), med dubbel step-down och dedicerad drivfunktion för GaN FET i en liten QFN-kapsling på 6 x 6 mm.

Demonstrationskretsen DC2995A är en buckregulator som innehåller LTC7891. DC2995A arbetar med en inspänning på 36 till 72 V och genererar en utspänning på 12 V, 20 A. LTC7891 har en noggrann spänningsreferens som kan generera en utspänning med 2 % tolerans vid alla driftsförhållanden. Switchfrekvensen på 500 kHz medför en liten och effektiv krets. Omvandlaren uppnår en verkningsgrad på över 96 % vid 20 A belastning.