FET-, MOSFET-arrayer

Resultat : 5 761
Tillverkare
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedAnalog Power Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCEPC Space, LLCFairchild Semiconductor
Serie
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™CoolSiC™CoolSiC™+DeepGATE™, STripFET™ H6
Förpackning
Band (byggindustri)BoxBulkDigi-Reel®Remsa och spole (TR)Remsbit (CT)RörTråg
Produktstatus
AktivFöråldradHar utgått hos Digi-KeyInte för nya designerSenaste tidpunkt för inköp
Teknologi
-GaNFET (galliumnitrid)Kiselkarbid (SiC)MOSFET (Metalloxid)SiCFET (kiselkarbid)
Konfiguration
2 N och 2 P-kanal2 N och 2 P-kanal matchande par2 N-kanal2 N-kanal (dubbel Buck Chopper)2 N-kanal (dubbel)2 N-kanal (dubbel) asymmetrisk2 N-kanal (dubbel) gemensam emitter2 N-kanal (dubbel) gemensam kollektor2 N-kanal (dubbel) matchande par2 N-kanal (dubbel), P-kanal2 N-kanal (dubbel), Schottky2 N-kanal (fassteg)
FET-funktion
-Kiselkarbid (SiC)LogiknivågrindLogiknivågrind, 0,9V drivningLogiknivågrind, 1,2V drivningLogiknivågrind, 1,5V drivningLogiknivågrind, 1,8V drivningLogiknivågrind, 2,5V drivningLogiknivågrind, 4,5V drivningLogiknivågrind, 4V drivningLogiknivågrind, 5V drivningLogiknivåport, 10V drivningUtarmningstyp
Drain till source-spänning (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA100mA (Ta)100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)
Rds On (max) @ Id, Vgs
0,46mOhm vid 160A, 12V0,762mOhm vid 160A, 12V0,765mOhm vid 160A, 12V, 0,580mOhm vid 160A, 12V0,765mOhm vid 160A, 12V, 0,710mOhm vid 160A, 12V0,8mOhm vid 1200A, 10V0,88mOhm vid 160A, 14V, 0,71mOhm vid 160A, 14V0,88mOhm vid 50A, 10V0,95mOhm vid 30A, 10V0,95mOhm vid 8A, 4,5V0,99mOhm vid 80A, 10V, 1,35mOhm vid 80A, 10V1,039mOhm vid 160A, 12V, 762µOhm vid 160A, 12V1,15mOhm vid 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
10mV vid 10µA10mV vid 1µA10mV vid 20µA20mV vid 10µA20mV vid 1µA20mV vid 20µA180mV vid 1µA200mV vid 2,8A, 200mV vid 1,9A220mV vid 1µA360mV vid 1µA380mV vid 1µA400 mV vid 250 µA (min.)
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
0,4pC vid 4,5V, 7,3nC vid 4,5V0,45pC vid 4,5V50pC vid 4,5V0,16nC vid 5V, 0,044nC vid 5V0,22nC vid 5V, 0,044nC vid 5V0,26nC vid 2,5V0,28nC vid 4,5V0,28nC vid 4,5V, 0,3nC vid 4,5V0,3nC vid 4,5V0,3nC vid 4,5V, 0,28nC vid 4,5V0,304nC vid 4,5V0,31nC vid 4,5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2,5pF vid 5V3pF vid 5V5pF vid 3V6pF vid 3V6,2pF vid 10V6,6pF vid 10V7pF vid 10V7pF vid 3V7,1pF vid 10V7,4pF vid 10V7,5pF vid 10V8,5pF vid 3V
Effekt - max
490µW500µW (Ta)10mW20mW120mW125mW125mW (Ta)140mW150mW150mW (Ta)180mW200mW
Arbetstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C (TA)-55°C ~ 175°C (TJ)-50°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 125°C
Grad
-AutomotiveMilitary
Godkännande
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
Monteringstyp
-ChassimonteringGenomgående hålYtmonteringYtmontering, vätbar sida
Inkapsling/låda
4-SMD, utan ledning4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-VFDFN frilagt öra4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA
Leverantörens enhetsförpackning
4 kretsars LGA (1,59 x 1,59)4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,2x1,2)4-AlphaDFN (1,9x1,3)4-BGA (1x1)4-CSP (0,8x0,8)4-CSP (1,11x1,11)4-CSP (1,1x1,1)4-CSP (1,29x1,29)4-CSP (1,74x1,74)4-DFN (1,5x1,5)4-DFN (1,7x1,7)
Lageralternativ
Miljöalternativ
Media
MARKETPLACE-PRODUKT
5 761Resultat
Visar
av 5 761
Tillv. artnr.
Tillgängligt antal
Pris
Serie
Förpackning
Produktstatus
Teknologi
Konfiguration
FET-funktion
Drain till source-spänning (Vdss)
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Rds On (max) @ Id, Vgs
Vgs(th) (Max) @ Id
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
Effekt - max
Arbetstemperatur
Grad
Godkännande
Monteringstyp
Inkapsling/låda
Leverantörens enhetsförpackning
344 956
I lager
1 : kr 1,43000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,36804
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
-
60V
300mA
1,5Ohm vid 100mA, 10V
2,1V vid 250µA
0,6nC vid 4,5V
40pF vid 10V
285mW
150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
114 078
I lager
1 : kr 2,15000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,57755
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
-
60V
230mA
7,5Ohm vid 50mA, 5V
2V vid 250µA
-
50pF vid 25V
310mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
70 649
I lager
1 : kr 2,25000
Remsbit (CT)
4 000 : kr 0,57649
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N och P-kanal
Logiknivågrind, 1,5V drivning
20V
800mA (Ta)
235mOhm vid 800mA, 4,5V, 390mOhm vid 800mA, 4,5V
1V vid 1mA
1nC vid 10V
55pF vid 10V, 100pF vid 10V
150mW (Ta)
150°C
-
-
Ytmontering
SOT-563, SOT-666
ES6
SOT363
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
1 978
I lager
1 : kr 2,25000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,56770
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Inte för nya designer
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
Logiknivågrind
60V
320mA
1,6Ohm vid 500mA, 10V
2,4V vid 250µA
0,8nC vid 4,5V
50pF vid 10V
420mW
150°C (TJ)
Automotive
AEC-Q100
Ytmontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
190 573
I lager
1 : kr 2,35000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,61452
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
Logiknivågrind, 1,5V drivning
20V
250mA (Ta)
2,2Ohm vid 100mA, 4,5V
1V vid 1mA
-
12pF vid 10V
300mW
150°C
-
-
Ytmontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
6DFN
PMDXB600UNEZ
MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Nexperia USA Inc.
37 345
I lager
1 : kr 2,35000
Remsbit (CT)
5 000 : kr 0,57689
Remsa och spole (TR)
1 : kr 2,76000
Remsbit (CT)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
Logiknivågrind
20V
600mA
620mOhm vid 600mA, 4,5V
950mV vid 250µA
0,7nC vid 4,5V
21,3pF vid 10V
265mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
6-XFDFN frilagt öra
DFN1010B-6
PG-SOT363-PO
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
4 848
I lager
1 : kr 2,46000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,66219
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
Logiknivågrind
60V
300mA
3Ohm vid 500mA, 10V
2,5V vid 250µA
0,6nC vid 10V
20pF vid 25V
500mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
140 641
I lager
1 : kr 2,56000
Remsbit (CT)
4 000 : kr 0,64707
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
Logiknivågrind
30V
100mA
4Ohm vid 10mA, 4V
1,5V vid 100µA
-
8,5pF vid 3V
150mW
150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
SOT-563, SOT-666
ES6
PMBT2222AYS-QX
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
318 362
I lager
1 : kr 2,66000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,69970
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
Logiknivågrind
60V
320mA
1,6Ohm vid 300mA, 10V
1,5V vid 250µA
0,8nC vid 4,5V
50pF vid 10V
420mW
150°C (TJ)
Automotive
AEC-Q101
Ytmontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
SOT 363
DMG1016UDW-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Diodes Incorporated
48 979
I lager
1 290 000
Fabrik
1 : kr 2,76000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,73008
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N och P-kanal
Logiknivågrind
20V
1,07A, 845mA
450mOhm vid 600mA, 4,5V
1V vid 250µA
0,74nC vid 4,5V
60,67pF vid 10V
330mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
742 962
I lager
1 : kr 2,97000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,63712
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
Logiknivågrind, 1,2V drivning
50V
200mA
2,2Ohm vid 200mA, 4,5V
1V vid 1mA
-
25pF vid 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
335 882
I lager
1 : kr 2,97000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,81090
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
Logiknivågrind, 0,9V drivning
50V
200mA
2,2Ohm vid 200mA, 4,5V
800mV vid 1mA
-
26pF vid 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
164 295
I lager
1 : kr 2,97000
Remsbit (CT)
8 000 : kr 0,71567
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
Logiknivågrind, 0,9V drivning
50V
200mA
2,2Ohm vid 200mA, 4,5V
800mV vid 1mA
-
26pF vid 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
SOT-563, SOT-666
EMT6
TSOT-26
DMG6602SVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
99 345
I lager
3 012 000
Fabrik
1 : kr 2,97000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,79497
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Inte för nya designer
MOSFET (Metalloxid)
N och P-kanal
Logiknivågrind, 4,5V drivning
30V
3,4A, 2,8A
60mOhm vid 3,1A, 10V
2,3V vid 250µA
13nC vid 10V
400pF vid 15V
840mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
SOT-23-6 smal, TSOT-23-6
TSOT-26
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
6 193
I lager
2 514 000
Fabrik
1 : kr 2,97000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,80476
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N och P-kanal
Logiknivågrind
30V
3,8A, 2,5A
55mOhm vid 3,4A, 10V
1,5V vid 250µA
12,3nC vid 10V
422pF vid 15V
850mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
SOT-23-6 smal, TSOT-23-6
TSOT-26
PG-SOT363-PO
BSD840NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Infineon Technologies
130 063
I lager
1 : kr 3,27000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,87954
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
Logiknivågrind
20V
880mA
400mOhm vid 880mA, 2,5V
750mV vid 1,6µA
0,26nC vid 2,5V
78pF vid 10V
500mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT363
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
68 880
I lager
1 : kr 3,27000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,88970
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Inte för nya designer
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
Logiknivågrind
20V
860mA
350mOhm vid 200mA, 4,5V
1,5V vid 250µA
0,72nC vid 4,5V
34pF vid 20V
410mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
PEMD4-QX
2N7002BKV,115
MOSFET 2N-CH 60V 340MA SOT666
Nexperia USA Inc.
34 758
I lager
1 : kr 3,27000
Remsbit (CT)
4 000 : kr 0,86254
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Inte för nya designer
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
Logiknivågrind
60V
340mA
1,6Ohm vid 500mA, 10V
2,1V vid 250µA
0,6nC vid 4,5V
50pF vid 10V
350mW
150°C (TJ)
Automotive
AEC-Q101
Ytmontering
SOT-563, SOT-666
SOT-666
SOT-563-6_463A
NTZD3154NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563
onsemi
455 532
I lager
1 : kr 3,38000
Remsbit (CT)
4 000 : kr 0,88863
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
-
20V
540mA
550mOhm vid 540mA, 4,5V
1V vid 250µA
2,5nC vid 4,5V
150pF vid 16V
250mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT 363
2N7002DW
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
onsemi
94 193
I lager
1 : kr 3,38000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,92875
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
Logiknivågrind
60V
115mA
7,5Ohm vid 50mA, 5V
2V vid 250µA
-
50pF vid 25V
200mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88 (SC-70-6)
SOT-363
NTJD4401NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
onsemi
28 678
I lager
1 : kr 3,38000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,92653
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
Logiknivågrind
20V
630mA
375mOhm vid 630mA, 4,5V
1,5V vid 250µA
3nC vid 4,5V
46pF vid 20V
270mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
20 395
I lager
1 : kr 3,38000
Remsbit (CT)
4 000 : kr 0,87789
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N och P-kanal
Logiknivågrind, 1,5V drivning
20V
800mA (Ta), 720mA (Ta)
240mOhm vid 500mA, 4,5V, 300mOhm vid 400mA, 4,5V
1V vid 1mA
2nC vid 4,5V, 1,76nC vid 4,5V
90pF vid 10V, 110pF vid 10V
150mW (Ta)
150°C
-
-
Ytmontering
SOT-563, SOT-666
ES6
37 586
I lager
1 : kr 3,48000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,93826
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Inte för nya designer
MOSFET (Metalloxid)
N och P-kanal
Logiknivågrind
30V
400mA, 200mA
700mOhm vid 200MA, 10V
1,8V vid 100µA
-
20pF vid 5V
300mW
150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
PG-SOT363-PO
BSD235NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Infineon Technologies
35 474
I lager
1 : kr 3,48000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,95047
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
Logiknivågrind
20V
950mA
350mOhm vid 950mA, 4,5V
1,2V vid 1,6µA
0,32nC vid 4,5V
63pF vid 10V
500mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automotive
AEC-Q101
Ytmontering
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT666
PMDT290UNE,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Nexperia USA Inc.
76 474
I lager
1 : kr 3,58000
Remsbit (CT)
4 000 : kr 0,94975
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Inte för nya designer
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
Logiknivågrind
20V
800mA
380mOhm vid 500mA, 4,5V
950mV vid 250µA
0,68nC vid 4,5V
83pF vid 10V
500mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automotive
AEC-Q101
Ytmontering
SOT-563, SOT-666
SOT-666
Visar
av 5 761

FET-, MOSFET-arrayer

Fälteffekttransistorer (FET) är elektroniska komponenter som använder ett elektriskt fält för att kontrollera flödet av ström. När man applicerar en spänning på gaten förändras konduktiviteten mellan drain- och source-kontakterna. FET:er kallas även unipolära transistorer eftersom de inbegriper användning av endast en laddningsbärartyp. Dvs. en FET använder elektroner eller hål som laddningsbärare under drift, men inte båda. Fälteffekttransistorer uppvisar i allmänhet mycket hög ingångsimpedans vid låga frekvenser.