Transistorer - FETs, MOSFETs - matriser

Resultat : 5 096
Tillverkare
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDComponentsDiodes IncorporatedEPCFairchild SemiconductorGeneral ElectricGeneSiC SemiconductorGoford Semiconductor
Rensa
Serie
-*AlphaMOSAutomotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, HEXFET®Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®Automotive, AEC-Q101, STripFET™Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, STripFET™ IIAutomotive, AEC-Q101, STripFET™ III
Rensa
Förpackning
-BoxBulkDigi-Reel®Remsa och spole (TR)Remsbit (CT)RörTråg
Rensa
Artikelstatus
AktivFöråldradHar utgått hos Digi-KeyInte för nya designerSenaste tidpunkt för inköp
Rensa
FET-typ
2 N och 2 P-kanal (H-brygga)2 N och 2 P-kanal matchande par2 N och 2 P-kanal2 N-kanal (H-brygga)2 N-kanal (dubbel Buck Chopper)2 N-kanal (dubbel) asymmetrisk2 N-kanal (dubbel) gemensam emitter2 N-kanal (dubbel) gemensam kollektor2 N-kanal (dubbel) matchande par2 N-kanal (dubbel)2 N-kanal (dubbel), Schottky2 N-kanal (fassteg)2 N-kanal (kaskodkopplad)
Rensa
FET-funktion
-GaNFET (galliumnitrid)Kiselkarbid (SiC)LogiknivågrindLogiknivågrind, 0,9V drivningLogiknivågrind, 1,2V drivningLogiknivågrind, 1,5V drivningLogiknivågrind, 1,8V drivningLogiknivågrind, 2,5V drivningLogiknivågrind, 4,5V drivningLogiknivågrind, 4V drivningLogiknivågrind, 5V drivningLogiknivåport, 10V drivning
Rensa
Drain till source-spänning (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V15V16V20V20V, 12V20V, 8V22V24V
Rensa
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
12mA, 3mA30mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)50mA80mA100mA (Ta)100mA100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)
Rensa
Rds On (max) @ Id, Vgs
0,8mOhm vid 1200A, 10V0,95mOhm vid 30A, 10V0,95mOhm vid 8A, 4,5V1mOhm vid 38A, 10V1,25mOhm vid 35A, 10V1,3mOhm vid 100A, 10V1,5mOhm vid 33A, 10V1,6mOhm vid 10A, 4,5V1,6mOhm vid 40A, 10V1,66mOhm vid 80A, 10V1,73mOhm vid 760A, 15V1,8mOhm vid 30A, 10V, 5mOhm vid 17,5A, 10V1,8mOhm vid 5A, 4,5V
Rensa
Vgs(th) (Max) @ Id
10mV vid 10µA10mV vid 1µA10mV vid 20µA20mV vid 10µA20mV vid 1µA20mV vid 20µA180mV vid 1µA220mV vid 1µA360mV vid 1µA380mV vid 1µA400 mV vid 250 µA (min.)420mV vid 1µA450mV vid 100µA
Rensa
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
0,1pC vid 4,5V, 0,7pC vid 4,5V0,4pC vid 4,5V, 7,3nC vid 4,5V0,45pC vid 4,5V0,16nC vid 5V, 0,044nC vid 5V0,22nC vid 5V, 0,044nC vid 5V0,26nC vid 2,5V0,3nC vid 4,5V0,304nC vid 4,5V0,31nC vid 4,5V0,32nC vid 4,5V0,34nC vid 4,5V0,35nC vid 4,5V0,35nC vid 5V
Rensa
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2,5pF vid 5V3pF vid 5V5pF vid 3V6pF vid 3V6,2pF vid 10V6,6pF vid 10V7pF vid 10V7pF vid 3V7,1pF vid 10V7,4pF vid 10V7,5pF vid 10V8,5pF vid 3V9pF vid 15V
Rensa
Effekt - max
10mW (Tc)10mW20mW (Tc)20mW50mW120mW125mW (Ta)125mW140mW150mW (Ta)150mW180mW200mW (Ta)
Rensa
Arbetstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TA)-55°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 175°C-50°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 125°C (Tc)-40°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 175°C (TJ)
Rensa
Monteringstyp
-ChassimonteringGenomgående hålYtmonteringYtmontering, vätbar sida
Rensa
Inkapsling/låda
4-SMD, utan ledning4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-VDFN4-VFDFN frilagt öra4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA4-XFBGA, WLCSP4-XFLGA4-XFLGA, CSP
Rensa
Leverantörens enhetsförpackning
4 kretsars LGA (1,59 x 1,59)4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,2x1,2)4-BGA (1x1)4-DFN (1,5x1,5)4-DFN (1,7x1,7)4-EFCP (1,01x1,01)4-EFLIP-LGA (1,11x1,11)4-EFLIP-LGA (1,4x1,4)4-EFLIP-LGA (1,62x1,62)4-FlipChip4-Picostar (1,31x1,31)4-QFN (2x2)
Rensa
Lageralternativ
Media
Miljöalternativ
MARKETPLACE-PRODUKT
Resultat per sida
25
Page 1/204
Jämför
Tillv. artnr.
Pris
Lager
Leverantör
Tillv.
Min. antal
DK artikelnr.
Serie
Förpackning
Artikelstatus
FET-typ
FET-funktion
Drain till source-spänning (Vdss)
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Rds On (max) @ Id, Vgs
Vgs(th) (Max) @ Id
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
Effekt - max
Arbetstemperatur
Monteringstyp
Inkapsling/låda
Leverantörens enhetsförpackning
eGaN Series
EPC2106
GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
kr 16,60000
38 000 - Omedelbart
EPCEPC
1
917-1110-2-ND
917-1110-1-ND
917-1110-6-ND
eGaN®
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-kanal (H-brygga)GaNFET (galliumnitrid)100V1,7A70mOhm vid 2A, 5V2,5V vid 600µA0,73nC vid 5V75pF vid 50V--40°C ~ 150°C (TJ)YtmonteringStansStans
eGaN Series
EPC2110
GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
kr 21,61000
21 385 - Omedelbart
EPCEPC
1
917-1152-2-ND
917-1152-1-ND
917-1152-6-ND
eGaN®
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-kanal (dubbel) gemensam emitterGaNFET (galliumnitrid)120V3,4A60mOhm vid 4A, 5V2,5V vid 700µA0,8nC vid 5V80pF vid 60V--40°C ~ 150°C (TJ)-StansStans
eGaN Series
EPC2104
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
kr 65,39000
1 158 - Omedelbart
EPCEPC
1
917-1184-2-ND
917-1184-1-ND
917-1184-6-ND
eGaN®
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-kanal (H-brygga)GaNFET (galliumnitrid)100V23A6,3mOhm vid 20A, 5V2,5V vid 5,5mA7nC vid 5V800pF vid 50V--40°C ~ 150°C (TJ)YtmonteringStansStans
eGaN Series
EPC2102
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
kr 73,05000
1 848 - Omedelbart
EPCEPC
1
917-1182-2-ND
917-1182-1-ND
917-1182-6-ND
eGaN®
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-kanal (H-brygga)GaNFET (galliumnitrid)60V23A4,4mOhm vid 20A, 5V2,5V vid 7mA6,8nC vid 5V830pF vid 30V--40°C ~ 150°C (TJ)YtmonteringStansStans
BSM300D12P2E001
BSM300D12P2E001
MOSFET 2N-CH 1200V 300A
kr 6 479,30000
28 - Omedelbart
Rohm SemiconductorRohm Semiconductor
1
BSM300D12P2E001-ND
-
Tråg
Aktiv2 N-kanal (H-brygga)Kiselkarbid (SiC)1200V (1,2kV)300A (Tc)-4V vid 68mA-35000pF vid 10V1875W-40°C ~ 150°C (TJ)ChassimonteringModulModul
SOT-353
DMN32D2LDF-7
MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353
kr 3,74000
1 276 - Omedelbart
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMN32D2LDF-7DITR-ND
DMN32D2LDF-7DICT-ND
DMN32D2LDF-7DIDKR-ND
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-kanal (dubbel) gemensam emitterLogiknivågrind30V400mA1,2Ohm vid 100mA, 4V1,2V vid 250µA-39pF vid 3V280mW-55°C ~ 150°C (TJ)Ytmontering5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353SOT-353
SOT363
BSS138BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
kr 4,56000
0 - Omedelbart
Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.
1
1727-6478-2-ND
1727-6478-1-ND
1727-6478-6-ND
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-kanal (dubbel)Logiknivågrind60V320mA1,6Ohm vid 320mA, 10V1,6V vid 250µA0,7nC vid 4,5V56pF vid 10V445mW-55°C ~ 150°C (TJ)Ytmontering6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
NX3008PBKS,115
MOSFET 2P-CH 30V 0.2A 6TSSOP
kr 4,74000
4 182 - Omedelbart
Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.
1
1727-1282-2-ND
1727-1282-1-ND
1727-1282-6-ND
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 P-kanal (dubbel)Logiknivågrind30V200mA4,1Ohm vid 200mA, 4,5V1,1V vid 250µA0,75nC vid 4,5V46pF vid 15V445mW-55°C ~ 150°C (TJ)Ytmontering6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
kr 4,20000
41 775 - Omedelbart
Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.
1
1727-3126-2-ND
1727-3126-1-ND
1727-3126-6-ND
TrenchMOS™
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-kanal (dubbel)Logiknivågrind20V860mA350mOhm vid 200mA, 4,5V1,5V vid 250µA0,72nC vid 4,5V34pF vid 20V410mW-55°C ~ 150°C (TJ)Ytmontering6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
8-SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
kr 3,65000
62 711 - Omedelbart
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMP3085LSD-13DITR-ND
DMP3085LSD-13DICT-ND
DMP3085LSD-13DIDKR-ND
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 P-kanal (dubbel)Logiknivågrind30V3,9A70mOhm vid 5,3A, 10V3V vid 250µA11nC vid 10V563pF vid 25V1,1W-55°C ~ 150°C (TJ)Ytmontering8-SOIC (0,154", 3,90mm bred)8-SO
SOT-963
DMC31D5UDJ-7
MOSFET N/P-CH 30V SOT963
kr 4,20000
23 266 - Omedelbart
760 000 - Fabrik
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMC31D5UDJ-7DITR-ND
DMC31D5UDJ-7DICT-ND
DMC31D5UDJ-7DIDKR-ND
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
AktivN och P-kanalLogiknivågrind30V220mA, 200mA1,5Ohm vid 100mA, 4,5V1V vid 250µA0,38nC vid 4,5V22,6pF vid 15V350mW-55°C ~ 150°C (TJ)YtmonteringSOT-963SOT-963
U-DFN2020-6
DMN1029UFDB-7
MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
kr 4,56000
50 364 - Omedelbart
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMN1029UFDB-7DITR-ND
DMN1029UFDB-7DICT-ND
DMN1029UFDB-7DIDKR-ND
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-kanal (dubbel)Standard12V5,6A29mOhm vid 5A, 4,5V1V vid 250µA19,6nC vid 8V914pF vid 6V1,4W-55°C ~ 150°C (TJ)Ytmontering6-UDFN frilagt öraU-DFN2020-6 (typ B)
UF6
SSM6L40TU,LF
X34 PB-F UF6 S-MOS (LF) TRANSIST
kr 4,65000
0 - Omedelbart
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
SSM6L40TULFTR-ND
SSM6L40TULFCT-ND
SSM6L40TULFDKR-ND
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
AktivN och P-kanalLogiknivågrind, 4V drivning30V1,6A (Ta), 1,4A (Ta)122mOhm vid 1A, 10V, 226mOhm vid 1A, 10V2,6V vid 1mA, 2V vid 1mA5,1nC vid 10V, 2,9nC vid 10V180pF vid 15V, 120pF vid 15V500mW (Ta)150°CYtmontering6-SMD, flata ledningarUF6
SOT-563
2N7002V
MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT563F
kr 4,38000
88 065 - Omedelbart
onsemionsemi
1
2N7002VTR-ND
2N7002VCT-ND
2N7002VDKR-ND
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-kanal (dubbel)Logiknivågrind60V280mA7,5Ohm vid 50mA, 5V2,5V vid 250µA-50pF vid 25V250mW-55°C ~ 150°C (TJ)YtmonteringSOT-563, SOT-666SOT-563F
8-SO
DMG9926USD-13
MOSFET 2N-CH 20V 8A SOP8L
kr 4,65000
217 - Omedelbart
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMG9926USD-13DITR-ND
DMG9926USD-13DICT-ND
DMG9926USD-13DIDKR-ND
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-kanal (dubbel)Logiknivågrind20V8A24mOhm vid 8,2A, 4,5V900mV vid 250µA8,8nC vid 4,5V867pF vid 15V1,3W-55°C ~ 150°C (TJ)Ytmontering8-SOIC (0,154", 3,90mm bred)8-SO
Pkg 5880
SI1025X-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89
kr 4,83000
660 - Omedelbart
Vishay SiliconixVishay Siliconix
1
SI1025X-T1-GE3TR-ND
SI1025X-T1-GE3CT-ND
SI1025X-T1-GE3DKR-ND
TrenchFET®
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 P-kanal (dubbel)Logiknivågrind60V190mA4Ohm vid 500mA, 10V3V vid 250µA1,7nC vid 15V23pF vid 25V250mW-55°C ~ 150°C (TJ)YtmonteringSOT-563, SOT-666SC-89 (SOT-563F)
SOT 26
DMG9926UDM-7
MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT-26
kr 5,11000
22 139 - Omedelbart
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMG9926UDMDITR-ND
DMG9926UDMDICT-ND
DMG9926UDMDIDKR-ND
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-kanal (dubbel) gemensam kollektorLogiknivågrind20V4,2A28mOhm vid 8,2A, 4,5V900mV vid 250µA8,3nC vid 4,5V856pF vid 10V980mW-55°C ~ 150°C (TJ)YtmonteringSOT-23-6SOT-26
SC-70-6
SI1900DL-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
kr 5,75000
16 489 - Omedelbart
Vishay SiliconixVishay Siliconix
1
SI1900DL-T1-E3TR-ND
SI1900DL-T1-E3CT-ND
SI1900DL-T1-E3DKR-ND
TrenchFET®
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-kanal (dubbel)Logiknivågrind30V590mA480mOhm vid 590mA, 10V3V vid 250µA1,4nC vid 10V-270mW-55°C ~ 150°C (TJ)Ytmontering6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6
TUMT6_TUMT6 Pkg
US6M2TR
MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
kr 6,48000
18 958 - Omedelbart
Rohm SemiconductorRohm Semiconductor
1
US6M2TR-ND
US6M2CT-ND
US6M2DKR-ND
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
AktivN och P-kanalStandard30V, 20V1,5A, 1A240mOhm vid 1,5A, 4,5V1,5V vid 1mA2,2nC vid 4,5V80pF vid 10V1W150°C (TJ)Ytmontering6-SMD, flata ledningarTUMT6
8-SOIC
SI9933CDY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
kr 6,02000
225 - Omedelbart
Vishay SiliconixVishay Siliconix
1
SI9933CDY-T1-GE3TR-ND
SI9933CDY-T1-GE3CT-ND
SI9933CDY-T1-GE3DKR-ND
TrenchFET®
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 P-kanal (dubbel)Logiknivågrind20V4A58mOhm vid 4,8A, 4,5V1,4V vid 250µA26nC vid 10V665pF vid 10V3,1W-50°C ~ 150°C (TJ)Ytmontering8-SOIC (0,154", 3,90mm bred)8-SOIC
8-SOIC
AOSD21311C
MOSFET 2P-CH 8-SOIC
kr 6,48000
51 080 - Omedelbart
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1
785-AOSD21311CTR-ND
785-AOSD21311CCT-ND
785-AOSD21311CDKR-ND
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 P-kanal (dubbel)Standard30V5 A (Ta)42mOhm vid 5A, 10V2,2V vid 250µA23nC vid 10V720pF vid 15V1,7W-55°C ~ 150°C (TJ)Ytmontering8-SOIC (0,154", 3,90mm bred)8-SOIC
SOT-963
NTUD3174NZT5G
MOSFET 2N-CH 20V 220MA SOT963
kr 6,11000
29 759 - Omedelbart
onsemionsemi
1
NTUD3174NZT5GOSTR-ND
NTUD3174NZT5GOSCT-ND
NTUD3174NZT5GOSDKR-ND
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-kanal (dubbel)Standard20V220mA (Ta)1,5Ohm vid 100mA, 4,5V1V vid 100µA-12,5pF vid 15V125mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)YtmonteringSOT-963SOT-963
8-SOIC
AO4840
MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC
kr 6,75000
55 558 - Omedelbart
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1
785-1063-2-ND
785-1063-1-ND
785-1063-6-ND
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Inte för nya designer2 N-kanal (dubbel)Logiknivågrind40V6A30mOhm vid 6A, 10V3V vid 250µA10,8nC vid 10V650pF vid 20V2W-55°C ~ 150°C (TJ)Ytmontering8-SOIC (0,154", 3,90mm bred)8-SOIC
8-SOIC
AO4882
MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
kr 7,30000
252 180 - Omedelbart
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1
785-1317-2-ND
785-1317-1-ND
785-1317-6-ND
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-kanal (dubbel)Logiknivågrind40V8A19mOhm vid 8A, 10V2,4V vid 250µA12nC vid 10V415pF vid 20V2W-55°C ~ 150°C (TJ)Ytmontering8-SOIC (0,154", 3,90mm bred)8-SOIC
FDMAxxxxxZ
FDMA3023PZ
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET
kr 6,66000
5 230 - Omedelbart
18 000 - Fabrik
onsemionsemi
1
FDMA3023PZTR-ND
FDMA3023PZCT-ND
FDMA3023PZDKR-ND
PowerTrench®
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 P-kanal (dubbel)Logiknivågrind30V2,9A90mOhm vid 2,9A, 4,5V1V vid 250µA11nC vid 4,5V530pF vid 15V700mW-55°C ~ 150°C (TJ)Ytmontering6-VDFN frilagt öra6-MicroFET (2x2)
Resultat per sida
25
Page 1/204