2,2 A (Ta) FET:ar, MOSFET:ar enskilda

Resultat : 63
Lageralternativ
Miljöalternativ
Media
Exkludera
63Resultat
Tillämpade filter Ta bort alla

Visar
av 63
Tillv. artnr.
Tillgängligt antal
Pris
Serie
Förpackning
Produktstatus
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
Rds On (max) @ Id, Vgs
Vgs(th) (Max) @ Id
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
Vgs (Max)
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
FET-funktion
Effektförlust (max)
Arbetstemperatur
Grad
Godkännande
Monteringstyp
Leverantörens enhetsförpackning
Inkapsling/låda
SOT-323
MOSFET N-CH 20V 2.2A SOT323
Nexperia USA Inc.
202 654
I lager
1 : kr 5,29000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 1,16213
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
2,2 A (Ta)
1,8V, 4,5V
65mOhm vid 2A, 4,5V
1V vid 250µA
5.85 nC @ 4.5 V
±8V
289 pF @ 10 V
-
395mW (Ta)
-55°C-150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-23-3
MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
Diodes Incorporated
14 769
I lager
1 : kr 5,67000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 1,25238
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
2,2 A (Ta)
1,5V, 4,5V
90mOhm vid 2,2A, 4,5V
1V vid 250µA
-
±8V
290 pF @ 10 V
-
650mW (Ta)
-55°C-150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
onsemi
20 524
I lager
1 : kr 6,62000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 1,53909
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
2,2 A (Ta)
2,5V, 10V
75mOhm vid 2,2A, 10V
1,4V vid 250µA
15.6 nC @ 10 V
±12V
720 pF @ 15 V
-
480mW (Ta)
-55°C-155°C (TJ)
-
-
Ytmontering
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BCV27
MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
onsemi
77 563
I lager
180 000
Fabrik
1 : kr 7,94000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 1,88792
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
2,2 A (Ta)
2,5V, 4,5V
65mOhm vid 2,2A, 4,5V
1V vid 250µA
9 nC @ 4.5 V
±8V
300 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C-155°C (TJ)
-
-
Ytmontering
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDS86242
MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC
onsemi
3 712
I lager
1 : kr 21,07000
Remsbit (CT)
2 500 : kr 6,06796
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-kanal
MOSFET (Metalloxid)
150 V
2,2 A (Ta)
6V, 10V
255mOhm vid 2,2A, 10V
4V vid 250µA
16 nC @ 10 V
±25V
1130 pF @ 75 V
-
1W (Ta)
-55°C-150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
8-SOIC
8-SOIC (Bredd 0,154", 3,90mm)
SIR401DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
7 830
I lager
1 : kr 47,34000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 17,36438
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-kanal
MOSFET (Metalloxid)
200 V
2,2 A (Ta)
6V, 10V
174mOhm vid 3,8A, 10V
4V vid 250µA
135 nC @ 10 V
±20V
-
-
1,9W (Ta)
-55°C-150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SIR401DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
6 020
I lager
1 : kr 47,34000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 17,36438
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-kanal
MOSFET (Metalloxid)
200 V
2,2 A (Ta)
6V, 10V
174mOhm vid 3,8A, 10V
4V vid 250µA
135 nC @ 10 V
±20V
-
-
1,9W (Ta)
-55°C-150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
11 813
I lager
1 : kr 4,82000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 1,05868
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
2,2 A (Ta)
4,5V, 10V
160mOhm vid 2,2A, 10V
2,1V vid 250µA
7.3 nC @ 10 V
±20V
299 pF @ 20 V
-
1,25W (Ta)
-55°C-150°C (TJ)
Automotive
AEC-Q101
Ytmontering
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
CSDxxxxxF5x
MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR
Texas Instruments
6 571
I lager
1 : kr 4,91000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 1,09059
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
2,2 A (Ta)
4,5V, 10V
65mOhm vid 1A, 10V
2,2V vid 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
777 pF @ 30 V
-
500mW (Ta)
-55°C-150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
3-PICOSTAR
3-SMD, utan ledning
TL431BFDT-QR
PMV88ENE/SOT23/TO-236AB
Nexperia USA Inc.
2 905
I lager
1 : kr 5,76000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 1,25559
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
2,2 A (Ta)
4,5V, 10V
117mOhm vid 2,2A, 10V
2,7V vid 250µA
6 nC @ 10 V
±20V
196 pF @ 30 V
-
615mW (Ta), 7,5W (Tc)
-55°C-175°C (TJ)
-
-
Ytmontering
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
4-DSBGA-YZB
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Texas Instruments
8 875
I lager
1 : kr 5,86000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 1,34852
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-kanal
MOSFET (Metalloxid)
12 V
2,2 A (Ta)
1,5V, 4,5V
53mOhm vid 500mA, 4,5V
900mV vid 250µA
3.8 nC @ 4.5 V
-6V
512 pF @ 6 V
-
1W (Ta)
-55°C-150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
4-DSBGA (1x1)
4-UFBGA, DSBGA
16 845
I lager
1 : kr 6,14000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 1,37044
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
2,2 A (Ta)
2,5V, 4,5V
100mOhm vid 500mA, 4,5V
1,1V vid 100µA
-
±12V
245 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C-150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
UFM
3-SMD, flata ledningar
AP7387Q-30Y-13
MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT89
Diodes Incorporated
13 792
I lager
1 : kr 6,99000
Remsbit (CT)
1 000 : kr 1,84833
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
2,2 A (Ta)
4,5V, 10V
120mOhm vid 2,5A, 10V
1V vid 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
186 pF @ 25 V
-
970mW (Ta)
-55°C-150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
SOT-89-3
TO-243AA
6 TSOP
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
onsemi
2 543
I lager
1 : kr 7,47000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 1,77383
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
2,2 A (Ta)
2,5V, 4,5V
65mOhm vid 4,4A, 4,5V
1,5V vid 250µA
15 nC @ 4.5 V
±12V
565 pF @ 5 V
-
500mW (Ta)
-55°C-150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
6-TSOP
SOT-23-6 smal, TSOT-23-6
10 087
I lager
1 : kr 3,31000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,61743
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
2,2 A (Ta)
4,5V, 10V
160mOhm vid 2,2A, 10V
2,1V vid 250µA
7.3 nC @ 10 V
±20V
299 pF @ 20 V
-
1,25W (Ta)
-55°C-150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
CSDxxxxxF5x
MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR
Texas Instruments
17 879
I lager
1 : kr 13,99000
Remsbit (CT)
250 : kr 5,08788
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
2,2 A (Ta)
4,5V, 10V
65mOhm vid 1A, 10V
2,2V vid 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
777 pF @ 30 V
-
500mW (Ta)
-55°C-150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
3-PICOSTAR
3-SMD, utan ledning
4-DSBGA-YZB
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Texas Instruments
14 109
I lager
1 : kr 14,84000
Remsbit (CT)
250 : kr 4,62180
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-kanal
MOSFET (Metalloxid)
12 V
2,2 A (Ta)
1,5V, 4,5V
53mOhm vid 500mA, 4,5V
900mV vid 250µA
3.8 nC @ 4.5 V
-6V
512 pF @ 6 V
-
1W (Ta)
-55°C-150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
4-DSBGA (1x1)
4-UFBGA, DSBGA
FDMA86108LZ
MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET
onsemi
4 453
I lager
1 : kr 16,63000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 4,51899
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
2,2 A (Ta)
4,5V, 10V
243mOhm vid 2,2A, 10V
3V vid 250µA
3 nC @ 10 V
±20V
163 pF @ 50 V
-
2,4W (Ta)
-55°C-150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
6-MicroFET (2x2)
6-WDFN exponerad kontaktyta
TO-261-4, TO-261AA
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Panjit International Inc.
7 823
I lager
1 : kr 6,43000
Remsbit (CT)
2 500 : kr 1,52323
Remsa och spole (TR)
-
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
2,2 A (Ta)
4,5V, 10V
310mOhm vid 2,2A, 10V
2,5V vid 250µA
9.1 nC @ 10 V
±20V
508 pF @ 30 V
-
3,1W (Ta)
-55°C-150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
SOT-223
TO-261-4, TO-261AA
AO3400A-EV
MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT-23
EVVO
2 274
I lager
1 : kr 1,13000
Remsbit (CT)
-
Remsbit (CT)
Aktiv
N-kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
2,2 A (Ta)
2,5V, 4,5V
65mOhm vid 2,2A, 4,5V
1V vid 250µA
9 nC @ 4.5 V
±8V
300 pF @ 10 V
-
460mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
6 TSOP
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
onsemi
0
I lager
48 750
Marketplace
1 817 : kr 1,60650
Bulk
-
Remsa och spole (TR)
Bulk
Föråldrad
P-kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
2,2 A (Ta)
2,5V, 4,5V
90mOhm vid 3A, 4,5V
900mV vid 250µA
9 nC @ 4.5 V
±8V
630 pF @ 10 V
-
700mW (Ta)
-55°C-150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
6-TSOP
SOT-23-6 smal, TSOT-23-6
6 TSOP
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
onsemi
0
I lager
3 000
Marketplace
1 817 : kr 1,60650
Bulk
-
Remsa och spole (TR)
Bulk
Föråldrad
P-kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
2,2 A (Ta)
2,5V, 4,5V
65mOhm vid 4,4A, 4,5V
1,5V vid 250µA
15 nC @ 4.5 V
±12V
565 pF @ 5 V
-
500mW (Ta)
-55°C-150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
6-TSOP
SOT-23-6 smal, TSOT-23-6
AM2398N
MOSFET N-CH 60V 2.2A SOT-23
Analog Power Inc.
2 000
Marketplace
1 : kr 1,70000
Bulk
-
Bulk
Aktiv
N-kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
2,2 A (Ta)
4,5V, 10V
194mOhm vid 2,2A, 10V
1V vid 250µA
3.7 nC @ 4.5 V
±20V
330 pF @ 15 V
-
1,3W (Ta)
-55°C-150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NTLJD3119CTBG
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6WDFN
onsemi
0
I lager
33 000
Marketplace
1 010 : kr 2,83500
Bulk
-
Remsa och spole (TR)
Bulk
Föråldrad
P-kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
2,2 A (Ta)
1,8V, 4,5V
100mOhm vid 2A, 4,5V
1V vid 250µA
7.8 nC @ 4.5 V
±8V
450 pF @ 10 V
Schottkydiod (isolerad)
710mW (Ta)
-55°C-150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
6-WDFN (2x2)
6-WDFN exponerad kontaktyta
6-PowerUFDFN
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6UDFN
onsemi
0
I lager
54 000
Marketplace
865 : kr 3,30750
Bulk
-
Remsa och spole (TR)
Bulk
Föråldrad
P-kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
2,2 A (Ta)
1,5V, 4,5V
85mOhm vid 3A, 4,5V
1V vid 250µA
8.5 nC @ 4.5 V
±8V
450 pF @ 10 V
-
600mW (Ta)
-55°C-150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
6-UDFN (1,6x1,6)
6-PowerUFDFN
Visar
av 63

Enstaka FET:ar, MOSFET:ar


Fälteffekttransistorer (FET:ar) och MOSFET:ar (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) är olika typer av transistorer som används för att förstärka eller switcha elektroniska signaler.

En FET fungerar genom att styra flödet av elektrisk ström mellan source- och drain-anslutningarna genom ett elektriskt fält som genereras av en spänning som appliceras på gate-anslutningen. Den största fördelen med FET:ar är deras höga ingångsimpedans, vilket gör dem perfekta för användning i signalförstärkning och analoga kretsar. De används ofta i tillämpningar som förstärkare, oscillatorer och buffertsteg i elektroniska kretsar.

MOSFET:ar, som är en undertyp av FET:ar, har en gate-anslutning som är isolerad från kanalen med ett tunt oxidskikt, vilket förbättrar dess prestanda och gör dem mycket effektiva. MOSFET:ar kan delas in i två olika typer:

MOSFET:ar är att föredra i många tillämpningar tack vare deras låga strömförbrukning, snabba switchning och förmåga att hantera stora strömmar och spänningar. De är avgörande i digitala och analoga kretsar, inklusive strömförsörjning, motorstyrningar och radiofrekvenstillämpningar.

MOSFET:ars funktion kan delas upp i två olika lägen:

  • Förbättringsläge: I det här läget är MOSFET:en normalt avstängd när gate-source spänningen är noll. Den kräver en positiv gate-source spänning (för n-kanal) eller en negativ gate-source spänning (för p-kanal) för att slås på.
  • Tömningsläge: I det här läget är MOSFET:en normalt på när gate-source spänningen är noll. Om man lägger på en gate-source spänning med motsatt polaritet kan den stängas av.

MOSFET:ar har flera fördelar, t.ex:

  1. Hög verkningsgrad: De förbrukar väldigt lite ström och kan växla läge snabbt, vilket gör dem väldigt effektiva i tillämpningar för strömhantering.
  2. Låg resistans vid tillslag: De har låg tillslagsresistans, vilket minimerar strömförluster och värmeutveckling.
  3. Hög ingångsimpedans: Konstruktionen med en isolerad gate ger en extremt hög ingångsimpedans, vilket gör dem perfekta för signalförstärkning med hög impedans.

Sammanfattningsvis är FET:ar, och i synnerhet MOSFET:ar, grundläggande komponenter i modern elektronik, och är kända för sin verkningsgrad, snabbhet och mångsidighet i en stor mängd tillämpningar, allt från signalförstärkning med låg effekt till switchning och styrning med hög effekt.