FET-, MOSFET-matriser

Resultat : 325
Lageralternativ
Miljöalternativ
Media
Exkludera
325Resultat
Tillämpade filter Ta bort alla

Visar
av 325
Tillv. artnr.
Tillgängligt antal
Pris
Serie
Förpackning
Produktstatus
Teknologi
Konfiguration
FET-funktion
Drain till source-spänning (Vdss)
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Rds On (max) @ Id, Vgs
Vgs(th) (Max) @ Id
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
Effekt - max
Arbetstemperatur
Grad
Godkännande
Monteringstyp
Inkapsling/låda
Leverantörens enhetsförpackning
FDS86242
MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC
onsemi
16 686
I lager
1 : kr 6,05000
Remsbit (CT)
2 500 : kr 2,38083
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
Logiknivågrind
60V
3,5A
100mOhm vid 3,5A, 10V
3V vid 250µA
13nC vid 5V
420pF vid 30V
1W
-55°C-175°C (TJ)
-
-
Ytmontering
8-SOIC (Bredd 0,154", 3,90mm)
8-SOIC
SG6858TZ
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6
onsemi
7 833
I lager
1 : kr 8,41000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 2,01981
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N och P-kanal
Logiknivågrind
30V
2,5A, 2A
95mOhm vid 2,5A, 10V
3V vid 250µA
6,6nC vid 10V
282pF vid 15V
700mW
-55°C-150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
SOT-23-6 smal, TSOT-23-6
SuperSOT™-6
6-VDFN Exposed Pad
MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
onsemi
21 823
I lager
1 : kr 9,17000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 2,24680
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N och P-kanal
Logiknivågrind
20V
3,7A, 3,1A
68mOhm vid 3,7A, 4,5V
1,5V vid 250µA
6nC vid 4,5V
340pF vid 10V
700mW
-55°C-150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
6-VDFN exponerad kontaktyta
6-MicroFET (2x2)
SG6858TZ
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6
onsemi
13 190
I lager
18 000
Fabrik
1 : kr 9,83000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 2,43949
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
-
20V
3A
70mOhm vid 3A, 4,5V
1,5V vid 250µA
4,6nC vid 4,5V
324pF vid 10V
700mW
-55°C-150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
SOT-23-6 smal, TSOT-23-6
SuperSOT™-6
6-VDFN Exposed Pad
MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET
onsemi
10 916
I lager
1 : kr 10,30000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 2,65595
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
Logiknivågrind
20V
5A
54mOhm vid 5A, 4,5V
1V vid 250µA
7,3nC vid 4,5V
500pF vid 10V
700mW
-55°C-150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
6-VDFN exponerad kontaktyta
6-MicroFET (2x2)
FDS86242
MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC
onsemi
20 942
I lager
5 000
Fabrik
1 : kr 10,40000
Remsbit (CT)
2 500 : kr 2,60480
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
Logiknivågrind
20V
6,5A
30mOhm vid 6,5A, 4,5V
1,5V vid 250µA
9nC vid 4,5V
650pF vid 10V
900mW
-55°C-150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
8-SOIC (Bredd 0,154", 3,90mm)
8-SOIC
6-VDFN Exposed Pad
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
onsemi
6 060
I lager
1 : kr 11,06000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 2,79934
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
Logiknivågrind
30V
2,9A
123mOhm vid 2,9A, 4,5V
1,5V vid 250µA
3nC vid 4,5V
220pF vid 15V
650mW
-55°C-150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
6-VDFN exponerad kontaktyta
6-MicroFET (2x2)
FDME1024NZT
MOSFET N/P-CH 20V 3.8A 6MICROFET
onsemi
3 916
I lager
1 : kr 11,34000
Remsbit (CT)
5 000 : kr 2,34033
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N och P-kanal
Logiknivågrind
20V
3,8A, 2,6A
66mOhm vid 3,4A, 4,5V
1V vid 250µA
4,2nC vid 4,5V
300pF vid 10V
600mW
-55°C-150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
6-UFDFN exponerad kontaktyta
6-MicroFET (1,6x1,6)
FDS86242
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
onsemi
9 049
I lager
1 : kr 11,53000
Remsbit (CT)
2 500 : kr 2,97890
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Senaste tidpunkt för inköp
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
Logiknivågrind
30V
6A
28mOhm vid 6A, 10V
3V vid 250µA
8,1nC vid 5V
575pF vid 15V
900mW
-55°C-150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
8-SOIC (Bredd 0,154", 3,90mm)
8-SOIC
FDS86242
MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
onsemi
5 850
I lager
1 : kr 11,62000
Remsbit (CT)
2 500 : kr 6,80684
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
-
100V
2,7A
105mOhm vid 2,7A, 10V
4V vid 250µA
4,1nC vid 10V
210pF vid 50V
1,6W
-55°C-150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
8-SOIC (Bredd 0,154", 3,90mm)
8-SOIC
6-VDFN Exposed Pad
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET
onsemi
33 712
I lager
1 : kr 12,10000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 3,08435
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 P-kanal (dubbel)
Logiknivågrind
30V
2,9A
90mOhm vid 2,9A, 4,5V
1V vid 250µA
11nC vid 4,5V
530pF vid 15V
700mW
-55°C-150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
6-VDFN exponerad kontaktyta
6-MicroFET (2x2)
SG6858TZ
MOSFET N/P-CH 20V 2.7A SSOT6
onsemi
12 735
I lager
1 : kr 12,10000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 3,10165
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N och P-kanal
Logiknivågrind
20V
2,7A, 1,9A
80mOhm vid 2,7A, 4,5V
1,5V vid 250µA
4,5nC vid 4,5V
325pF vid 10V
700mW
-55°C-150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
SOT-23-6 smal, TSOT-23-6
SuperSOT™-6
FDS86242
MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOIC
onsemi
17 054
I lager
1 : kr 12,38000
Remsbit (CT)
2 500 : kr 3,25310
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N och P-kanal
Logiknivågrind
60V
4,5A, 3,5A
55mOhm vid 4,5A, 10V
3V vid 250µA
18nC vid 10V
650pF vid 25V, 759pF vid 25V
1W
-55°C-175°C (TJ)
-
-
Ytmontering
8-SOIC (Bredd 0,154", 3,90mm)
8-SOIC
FDS86242
MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC
onsemi
7 048
I lager
1 : kr 12,76000
Remsbit (CT)
2 500 : kr 3,35993
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
Logiknivågrind
40V
6A
29mOhm vid 6A, 10V
3V vid 250µA
11nC vid 5V
955pF vid 20V
2W
-55°C-150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
8-SOIC (Bredd 0,154", 3,90mm)
8-SOIC
FDS86242
MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
onsemi
29 990
I lager
1 : kr 13,80000
Remsbit (CT)
2 500 : kr 3,70463
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 P-kanal (dubbel)
Logiknivågrind
30V
6,9A
22mOhm vid 6,9A, 10V
3V vid 250µA
40nC vid 10V
1360pF vid 15V
900mW
-55°C-150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
8-SOIC (Bredd 0,154", 3,90mm)
8-SOIC
FDMB3900AN
MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
onsemi
11 822
I lager
1 : kr 14,36000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 3,93095
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Senaste tidpunkt för inköp
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
Logiknivågrind
30V
4,8A
40mOhm vid 4,8A, 10V
3V vid 250µA
5,6nC vid 5V
465pF vid 15V
750mW
-55°C-150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
8-PowerWDFN
8-MLP, MicroFET (3x1,9)
FDS86242
MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC
onsemi
1 098
I lager
1 : kr 18,14000
Remsbit (CT)
2 500 : kr 5,12469
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 P-kanal (dubbel)
Logiknivågrind
30V
6A
32mOhm vid 6A, 10V
3V vid 250µA
20nC vid 5V
1540pF vid 15V
900mW
-55°C-150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
8-SOIC (Bredd 0,154", 3,90mm)
8-SOIC
FDS86242
MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
onsemi
36 725
I lager
1 : kr 19,47000
Remsbit (CT)
2 500 : kr 5,53112
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
-
100V
2,7A
105mOhm vid 2,7A, 10V
2,2V vid 250µA
5,3nC vid 10V
302pF vid 50V
1,6W
-55°C-150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
8-SOIC (Bredd 0,154", 3,90mm)
8-SOIC
FDS86242
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8SOIC
onsemi
14 168
I lager
1 : kr 20,41000
Remsbit (CT)
2 500 : kr 5,86671
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
-
100V
4,5A
62mOhm vid 4,5A, 10V
4V vid 250µA
15nC vid 10V
750pF vid 25V
2,5W
-55°C-150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
8-SOIC (Bredd 0,154", 3,90mm)
8-SOIC
FDS86242
MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC
onsemi
9 094
I lager
1 : kr 24,29000
Remsbit (CT)
2 500 : kr 7,68633
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
Logiknivågrind
80V
4,7A
44mOhm vid 4,7A, 10V
4V vid 250µA
35nC vid 10V
1180pF vid 40V
900mW
-55°C-175°C (TJ)
-
-
Ytmontering
8-SOIC (Bredd 0,154", 3,90mm)
8-SOIC
FDMS8095AC
MOSFET 2N-CH 100V 10A 8MLP
onsemi
2 771
I lager
1 : kr 67,38000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 27,72364
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
Logiknivågrind
100V
10A
13mOhm vid 10A, 10V
4V vid 250µA
27nC vid 10V
1800pF vid 50V
2,2W
-55°C-150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
8-PowerWDFN
8-MLP (5x6), Power56
SG6858TZ
MOSFET 2P-CH 60V 0.34A SSOT6
onsemi
4 536
I lager
1 : kr 4,73000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 0,98352
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 P-kanal (dubbel)
Logiknivågrind
60V
340mA
5Ohm vid 340mA, 10V
3,5V vid 250µA
2,2nC vid 10V
66pF vid 25V
700mW
-55°C-150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
SOT-23-6 smal, TSOT-23-6
SuperSOT™-6
FDS86242
MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
onsemi
16 468
I lager
1 : kr 8,60000
Remsbit (CT)
2 500 : kr 2,55434
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
Logiknivågrind
30V
7A
23mOhm vid 7A, 10V
2,5V vid 250µA
13nC vid 10V
635pF vid 15V
1,6W
-55°C-150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
8-SOIC (Bredd 0,154", 3,90mm)
8-SOIC
SG6858TZ
MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
onsemi
5 879
I lager
1 : kr 8,60000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 2,07109
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 P-kanal (dubbel)
Logiknivågrind
20V
1,9A
170mOhm vid 1,9A, 4,5V
1,5V vid 250µA
4,2nC vid 4,5V
441pF vid 10V
700mW
-55°C-150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
SOT-23-6 smal, TSOT-23-6
SuperSOT™-6
SG6858TZ
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
onsemi
19 974
I lager
1 : kr 8,69000
Remsbit (CT)
3 000 : kr 2,04933
Remsa och spole (TR)
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-kanal (dubbel)
-
20V
2,7A
80mOhm vid 2,7A, 4,5V
1,5V vid 250µA
5nC vid 4,5V
310pF vid 10V
700mW
-55°C-150°C (TJ)
-
-
Ytmontering
SOT-23-6 smal, TSOT-23-6
SuperSOT™-6
Visar
av 325

FET-, MOSFET-matriser


Fälteffekttransistorer (FET) är elektroniska komponenter som använder ett elektriskt fält för att kontrollera flödet av ström. När man applicerar en spänning på gaten förändras konduktiviteten mellan drain- och source-kontakterna. FET:er kallas även unipolära transistorer eftersom de inbegriper användning av endast en laddningsbärartyp. Dvs. en FET använder elektroner eller hål som laddningsbärare under drift, men inte båda. Fälteffekttransistorer uppvisar i allmänhet mycket hög ingångsimpedans vid låga frekvenser.