Avalanche Dioder, enskilda

Visar

av 976

Tillv. artnr.	Tillgängligt antal	Pris	Serie	Förpackning	Produktstatus	Teknologi	Spänning - DC-backspänning (Vr) (max)	Ström - likriktat medelvärde (Io)	Spänning - fram (Vf) (max) @ If	Hastighet	Omvänd återhämtningstid (trr)	Ström - läckström @ Vr	Kapacitans @ Vr, F	Grad	Godkännande	Monteringstyp	Inkapsling/låda	Leverantörens enhetsförpackning	Arbetstemperatur - koppling
BY448TR DIODE AVALANCHE 1500V 2A SOD57 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	60 394 I lager	1 : kr 2,53000 Remsbit (CT) 5 000 : kr 2,16819 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT)	Aktiv	Avalanche	1500 V	2A	1.6 V @ 3 A	Standardåterhämtning >500ns, > 200mA (Io)	20 µs	3 µA @ 1500 V	-	-	-	Genomgående hål	SOD-57, axiell	SOD-57	140°C (max.)
BYG23M-E3/TR DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Vishay General Semiconductor - Diodes Division	159 701 I lager	1 : kr 2,62000 Remsbit (CT) 1 800 : kr 0,99394 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	Avalanche	1000 V	1,5A	1.7 V @ 1 A	Snabb återhämtning =< 500ns, > 200mA (Io)	75 ns	5 µA @ 1000 V	-	-	-	Ytmontering	DO-214AC, SMA	DO-214AC (SMA)	-55°C-150°C
BYM10-400-E3/96 DIODE AVALANCHE 400V 1A DO213AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division	22 803 I lager	1 : kr 2,62000 Remsbit (CT) 1 500 : kr 0,88889 Remsa och spole (TR)	SUPERECTIFIER®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	Avalanche	400 V	1A	1.1 V @ 1 A	Standardåterhämtning >500ns, > 200mA (Io)	-	10 µA @ 400 V	8pF vid 4V, 1MHz	-	-	Ytmontering	DO-213AB, MELF (glas)	DO-213AB	-65°C-175°C
BYG23T-M3/TR DIODE AVALANCHE 1300V 1A DO214AC Vishay General Semiconductor - Diodes Division	34 882 I lager	1 : kr 2,89000 Remsbit (CT) 1 800 : kr 1,15991 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	Avalanche	1300 V	1A	1.9 V @ 1 A	Snabb återhämtning =< 500ns, > 200mA (Io)	75 ns	5 µA @ 1300 V	9pF vid 4V, 1MHz	-	-	Ytmontering	DO-214AC, SMA	DO-214AC (SMA)	-55°C-150°C
BYM10-1000-E3/96 DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO213AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division	48 835 I lager	1 : kr 3,16000 Remsbit (CT) 1 500 : kr 0,76628 Remsa och spole (TR)	SUPERECTIFIER®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	Avalanche	1000 V	1A	1.2 V @ 1 A	Standardåterhämtning >500ns, > 200mA (Io)	-	10 µA @ 1000 V	8pF vid 4V, 1MHz	-	-	Ytmontering	DO-213AB, MELF (glas)	DO-213AB	-65°C-175°C
BYG23M-E3/TR3 DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Vishay General Semiconductor - Diodes Division	63 608 I lager	1 : kr 3,52000 Remsbit (CT) 7 500 : kr 0,99394 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	Avalanche	1000 V	1,5A	1.7 V @ 1 A	Snabb återhämtning =< 500ns, > 200mA (Io)	75 ns	5 µA @ 1000 V	-	-	-	Ytmontering	DO-214AC, SMA	DO-214AC (SMA)	-55°C-150°C
1N5061TR DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	57 715 I lager	1 : kr 3,52000 Remsbit (CT) 5 000 : kr 1,90368 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT)	Aktiv	Avalanche	600 V	2A	1.15 V @ 2.5 A	Standardåterhämtning >500ns, > 200mA (Io)	4 µs	1 µA @ 600 V	40pF vid 0V, 1MHz	-	-	Genomgående hål	SOD-57, axiell	SOD-57	-55°C-175°C
BYG21M-E3/TR DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Vishay General Semiconductor - Diodes Division	50 175 I lager	1 : kr 3,61000 Remsbit (CT) 1 800 : kr 1,15204 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	Avalanche	1000 V	1,5A	1.6 V @ 1.5 A	Snabb återhämtning =< 500ns, > 200mA (Io)	120 ns	1 µA @ 1000 V	-	-	-	Ytmontering	DO-214AC, SMA	DO-214AC (SMA)	-55°C-150°C
BY203-20STR DIODE AVAL 2000V 250MA SOD57 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	36 406 I lager	1 : kr 5,69000 Remsbit (CT) 5 000 : kr 2,68434 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT)	Aktiv	Avalanche	2000 V	250mA	2.4 V @ 200 mA	Snabb återhämtning =< 500ns, > 200mA (Io)	300 ns	2 µA @ 1200 V	-	-	-	Genomgående hål	SOD-57, axiell	SOD-57	-55°C-150°C
BYV27-200-TR DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	23 715 I lager	1 : kr 5,87000 Remsbit (CT) 5 000 : kr 2,49253 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT)	Aktiv	Avalanche	200 V	2A	1.07 V @ 3 A	Snabb återhämtning =< 500ns, > 200mA (Io)	25 ns	1 µA @ 200 V	-	-	-	Genomgående hål	SOD-57, axiell	SOD-57	-55°C-175°C
BY203-20STAP DIODE AVAL 2000V 250MA SOD57 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	24 903 I lager	1 : kr 6,14000 Remsbit (CT) 5 000 : kr 2,68434 Remsa och låda (TB)	-	Remsbit (CT) Remsa och låda (TB)	Aktiv	Avalanche	2000 V	250mA	2.4 V @ 200 mA	Snabb återhämtning =< 500ns, > 200mA (Io)	300 ns	2 µA @ 1200 V	-	-	-	Genomgående hål	SOD-57, axiell	SOD-57	-55°C-150°C
BYV28-200-TAP DIODE AVALANCHE 200V 3.5A SOD64 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	10 919 I lager	1 : kr 7,49000 Remsbit (CT) 2 500 : kr 4,83296 Remsa och låda (TB)	-	Remsbit (CT) Remsa och låda (TB)	Aktiv	Avalanche	200 V	3,5A	1.1 V @ 5 A	Snabb återhämtning =< 500ns, > 200mA (Io)	30 ns	1 µA @ 200 V	-	-	-	Genomgående hål	SOD-64, axiell	SOD-64	-55°C-175°C
BYW56-TR DIODE AVALANCHE 1000V 2A SOD57 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	17 676 I lager	1 : kr 9,39000 Remsbit (CT) 5 000 : kr 2,16819 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT)	Aktiv	Avalanche	1000 V	2A	1 V @ 1 A	Standardåterhämtning >500ns, > 200mA (Io)	4 µs	1 µA @ 1000 V	-	-	-	Genomgående hål	SOD-57, axiell	SOD-57	-55°C-175°C
BYG22D-E3/TR DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC Vishay General Semiconductor - Diodes Division	77 881 I lager	1 : kr 1,63000 Remsbit (CT) 1 800 : kr 1,19457 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	Avalanche	200 V	2A	1.1 V @ 2 A	Snabb återhämtning =< 500ns, > 200mA (Io)	25 ns	1 µA @ 200 V	-	-	-	Ytmontering	DO-214AC, SMA	DO-214AC (SMA)	-55°C-150°C
BYG22D-E3/TR3 DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC Vishay General Semiconductor - Diodes Division	8 066 I lager	1 : kr 1,81000 Remsbit (CT) 7 500 : kr 1,23103 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	Avalanche	200 V	2A	1.1 V @ 2 A	Snabb återhämtning =< 500ns, > 200mA (Io)	25 ns	1 µA @ 200 V	-	-	-	Ytmontering	DO-214AC, SMA	DO-214AC (SMA)	-55°C-150°C
1N5059TR DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	41 118 I lager	1 : kr 2,26000 Remsbit (CT) 5 000 : kr 1,76941 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT)	Aktiv	Avalanche	200 V	2A	1.15 V @ 2.5 A	Standardåterhämtning >500ns, > 200mA (Io)	4 µs	1 µA @ 200 V	40pF vid 0V, 1MHz	-	-	Genomgående hål	SOD-57, axiell	SOD-57	-55°C-175°C
BYG10Y-E3/TR3 DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC Vishay General Semiconductor - Diodes Division	18 506 I lager	1 : kr 2,26000 Remsbit (CT) 7 500 : kr 1,30398 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	Avalanche	1600 V	1,5A	1.15 V @ 1.5 A	Standardåterhämtning >500ns, > 200mA (Io)	4 µs	1 µA @ 1600 V	-	-	-	Ytmontering	DO-214AC, SMA	DO-214AC (SMA)	-55°C-150°C
BYG10M-E3/TR DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Vishay General Semiconductor - Diodes Division	29 196 I lager	1 : kr 2,44000 Remsbit (CT) 1 800 : kr 0,73021 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	Avalanche	1000 V	1,5A	1.15 V @ 1.5 A	Standardåterhämtning >500ns, > 200mA (Io)	4 µs	1 µA @ 1000 V	-	-	-	Ytmontering	DO-214AC, SMA	DO-214AC (SMA)	-55°C-150°C
BYV26D-TR DIODE AVALANCHE 800V 1A SOD57 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	13 752 I lager	1 : kr 2,44000 Remsbit (CT) 5 000 : kr 2,23356 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT)	Aktiv	Avalanche	800 V	1A	2.5 V @ 1 A	Snabb återhämtning =< 500ns, > 200mA (Io)	75 ns	5 µA @ 800 V	-	-	-	Genomgående hål	SOD-57, axiell	SOD-57	-55°C-175°C
BYW56-TAP DIODE AVALANCHE 1000V 2A SOD57 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	3 518 I lager	1 : kr 2,53000 Remsbit (CT) 5 000 : kr 2,16819 Remsa och låda (TB)	-	Remsbit (CT) Remsa och låda (TB)	Aktiv	Avalanche	1000 V	2A	1 V @ 1 A	Standardåterhämtning >500ns, > 200mA (Io)	4 µs	1 µA @ 1000 V	-	-	-	Genomgående hål	SOD-57, axiell	SOD-57	-55°C-175°C
BY269TR DIODE AVAL 1600V 800MA SOD57 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	35 775 I lager	1 : kr 2,62000 Remsbit (CT) 5 000 : kr 2,42814 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT)	Aktiv	Avalanche	1600 V	800mA	1.25 V @ 400 mA	Snabb återhämtning =< 500ns, > 200mA (Io)	400 ns	2 µA @ 1600 V	-	-	-	Genomgående hål	SOD-57, axiell	SOD-57	-55°C-175°C
BYM10-100-E3/96 DIODE AVALANCHE 100V 1A DO213AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division	8 192 I lager	1 : kr 2,62000 Remsbit (CT) 1 500 : kr 0,94835 Remsa och spole (TR)	SUPERECTIFIER®	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	Avalanche	100 V	1A	1.1 V @ 1 A	Standardåterhämtning >500ns, > 200mA (Io)	-	10 µA @ 100 V	8pF vid 4V, 1MHz	-	-	Ytmontering	DO-213AB, MELF (glas)	DO-213AB	-65°C-175°C
1N5062TR DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	25 282 I lager	1 : kr 2,80000 Remsbit (CT) 5 000 : kr 1,90368 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT)	Aktiv	Avalanche	800 V	2A	1.15 V @ 2.5 A	Standardåterhämtning >500ns, > 200mA (Io)	4 µs	1 µA @ 800 V	40pF vid 0V, 1MHz	-	-	Genomgående hål	SOD-57, axiell	SOD-57	-55°C-175°C
BYV38-TR DIODE AVALANCHE 1000V 2A SOD57 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	32 205 I lager	1 : kr 2,89000 Remsbit (CT) 5 000 : kr 2,16819 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT)	Aktiv	Avalanche	1000 V	2A	1.1 V @ 1 A	Snabb återhämtning =< 500ns, > 200mA (Io)	300 ns	5 µA @ 1000 V	15pF vid 4V, 1MHz	-	-	Genomgående hål	SOD-57, axiell	SOD-57	-55°C-175°C
ACURA107-HF DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO214AC Comchip Technology	6 235 I lager	1 : kr 2,89000 Remsbit (CT) 5 000 : kr 0,93012 Remsa och spole (TR)	-	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Aktiv	Avalanche	1000 V	1A	1.7 V @ 1 A	Snabb återhämtning =< 500ns, > 200mA (Io)	75 ns	5 µA @ 1000 V	15pF vid 4V, 1MHz	Automotive	AEC-Q101	Ytmontering	DO-214AC, SMA	DO-214AC (SMA)	-55°C-150°C

Visar

av 976

Typer av likriktardioder

Vanliga likriktardioder

Standarddioder (PN-övergång av kisel) Standarddioder är den mest grundläggande typen av likriktardioder, som tillverkats av kisel med en PN-övergång. De används ofta i lik/växelströmsomvandlare, effektlikriktare och för allmänt kretsskydd. Dioderna har normalt ett spänningsfall i framåtriktning på ca 0,7 V och är bästa lämpade för lågfrekvent switchning. Deras återhämtningstid i omvänd riktning (hur snabbt de slutar leda när de stängs av) är relativt långsam, vilket begränsar deras användning i tillämpningar med hög hastighet. De har också låg läckström i backriktning, vilket gör dem tillförlitliga vid drift med stabila lägen.

Schottky-spärrdioder (SBD)
Schottky-dioder (SBD) använder en metall-halvledarövergång i stället för en traditionell PN-övergång, vilket medför snabbare switchningshastigheter och lägre spänningsfall i framriktningen - ofta mellan 0,2 och 0,4 V. Det gör dem perfekta i DC-DC-omvandlare, högeffektiva nätaggregat och kretsar där det är viktigt att minimera effektförluster. En nackdel med Shottky-spärrdioder är dock att de har högre läckström i backriktningen, i synnerhet vid höga temperaturer, vilket kan vara ett problem i noggranna eller batteridrivna enheter.

Superspärrlikriktare (SBR)
Superspärrlikriktare (SBR) kombinerar de bästa egenskaperna hos standarddioder och Schottky-dioder. De har lågt spänningsfall i framriktningen som Schottky-spärrdioderna, men med betydligt lägre läckström i backriktningen och bättre hantering av spänning i framriktning. Superspärrlikriktare är väl lämpade för switchade effektomvandlare, adaptrar och fordonselektronik, där energieffektivitet och termisk stabilitet är viktiga faktorer. De är ofta ett bättre val än Schottky-dioder när tillämpningen omfattar högre omgivningstemperaturer eller högre spänningstransienter.

Lavindioder
Lavindioder är konstruerade för att fungera tillförlitligt i omvänt genombrottsläge, där de leder ström på ett säkert sätt när ett visst gränsvärde för omvänd spänning överskrids. Till skillnad från standarddioder som kan skadas av genombrott är lavindioder byggda för att hantera detta tillstånd upprepade gånger och på ett förutsägbart sätt.

Dioder av kiselkarbid (SiC)
Dioder av kiselkarbid är tillverkade av kiselkarbid, ett material med stort bandgap som gör att de tål mycket höga spänningar (600 V och uppåt) och extrema temperaturer (>150 °C). De är perfekta för industriella växelriktare, laddare för elektriska fordon, växelriktare för solceller samt motorstyrningar, särskilt i kretsar som kräver snabb switchning och noll omvänd återhämtningstid. Även om de är dyrare än kiselbaserade dioder, gör deras tålighet och verkningsgrad vid höga spänningar och frekvenser dem ofta till det bästa långsiktiga valet i krävande tillämpningar.

Typer av likriktardioder

INFORMATION

HJÄLP

KONTAKTA OSS

FÖLJ OSS