TO-263AB
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SIHB12N60E-GE3

Digi-Keys produktnummer
SIHB12N60E-GE3-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
SIHB12N60E-GE3
Beskrivning
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Tillverkarens standardleveranstid
83 veckor
Detaljerad beskrivning
N-kanal 600 V 12 A (Tc) 147W (Tc) Ytmontering D²PAK (TO-263)
Kundreferens
Datablad Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj
Kategori
Tillv.
Vishay Siliconix
Serie
-
Förpackning
Bulk
Produktstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
600 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
12 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
380mOhm vid 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
937 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
147W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
D²PAK (TO-263)
Inkapsling/låda
TO-263-3, D²Pak (2 ledningar + flik), TO-263AB
Basproduktens nummer
Miljö- och exportklassificeringar
AttributBeskrivning
RoHS-statusUppfyller ROHS3
Fuktkänslighetsnivå1 (obegränsad)
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
Alla priser är i SEK
Bulk
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 21,94000kr 21,94
10kr 19,74500kr 197,45
100kr 15,87070kr 1 587,07
500kr 13,03948kr 6 519,74
1 000kr 11,17661kr 11 176,61
Ytterligare resurser
AttributBeskrivning
Andra namnSIHB12N60EGE3
Standardförpackning1 000
Ersättningsartiklar (4)
Artikelnr.Tillverkare Tillgängligt antalDigi-Keys artikelnr.Enhetspris Typ av ersättningsartikel
STB13N60M2STMicroelectronics721497-13828-1-NDkr 24,77000Similar
R6011ENJTLRohm Semiconductor440R6011ENJTLCT-NDkr 34,78000Similar
IPB60R299CPAATMA1Infineon Technologies2 979448-IPB60R299CPAATMA1CT-NDkr 40,34000Similar
R6011KNJTLRohm Semiconductor398R6011KNJTLCT-NDkr 21,64000Similar