Name: SI7431DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7431DP-T1-GE3TR-ND
Price: 59.175 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SI7431DP-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SI7431DP-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SI7431DP-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SI7431DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SI7431DP-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Tillverkarens standardleveranstid	20 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 200 V 2,2 A (Ta) 1,9W (Ta) Ytmontering PowerPAK® SO-8
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	P-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	2,2 A (Ta)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	174mOhm vid 3,8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	135 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	1,9W (Ta)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PowerPAK® SO-8
Inkapsling/låda	PowerPAK® SO-8
Basproduktens nummer	SI7431