SI1012R-T1-GE3 Vishay Siliconix | Diskreta halvledarprodukter

SI1012R-T1-GE3 har utgått och tillverkas inte längre.

Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended

Vishay Siliconix

I lager: 40 768

Enhetspris : kr 4,32000

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SI1012R-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SI1012R-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SI1012R-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SI1012R-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SI1012R-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 20 V 500mA (Ta) 150mW (Ta) Ytmontering SC-75A
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SI1012R-T1-GE3 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Föråldrad
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	20 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	500mA (Ta)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	1,8V, 4,5V
Rds On (max) @ Id, Vgs	700mOhm vid 600mA, 4,5V
Vgs(th) (Max) @ Id	900mV vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	0.75 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±6V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	150mW (Ta)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	SC-75A
Inkapsling/låda	SC-75, SOT-416
Basproduktens nummer	SI1012