FET:ar, MOSFET:ar enskilda

Visar

av 14

Tillv. artnr.	Tillgängligt antal	Pris	Serie	Förpackning	Produktstatus	FET-typ	Teknologi	Drain till source-spänning (Vdss)	Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	Rds On (max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	FET-funktion	Effektförlust (max)	Arbetstemperatur	Grad	Godkännande	Monteringstyp	Leverantörens enhetsförpackning	Inkapsling/låda
LSIC1MO170E0750 SICFET N-CH 1700V 750OHM TO247-3 Littelfuse Inc.	251 I lager	1 : kr 78,44000 Rör	-	Rör	Aktiv	N-kanal	SiCFET (kiselkarbid)	1700 V	6,2 A (Tc)	20V	1Ohm vid 2A, 20V	4V vid 1mA	13 nC @ 20 V	+22V, -6V	200 pF @ 1000 V	-	60W (Tc)	-55°C-175°C (TJ)	-	-	Genomgående hål	TO-247AD	TO-247-3
LSIC1MO120E0160 SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3 Littelfuse Inc.	2 221 I lager 1 350 Fabrik	1 : kr 111,42000 Rör	-	Rör	Aktiv	N-kanal	SiCFET (kiselkarbid)	1200 V	22 A (Tc)	20V	200mOhm vid 10A, 20V	4V vid 5mA	57 nC @ 20 V	+22V, -6V	870 pF @ 800 V	-	125W (Tc)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Genomgående hål	TO-247AD	TO-247-3
LSIC1MO120E0080 SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3 Littelfuse Inc.	369 I lager	1 : kr 183,61000 Rör	-	Rör	Aktiv	N-kanal	SiCFET (kiselkarbid)	1200 V	39 A (Tc)	20V	100mOhm vid 20A, 20V	4V vid 10mA	95 nC @ 20 V	+22V, -6V	1825 pF @ 800 V	-	179W (Tc)	-55°C-150°C	-	-	Genomgående hål	TO-247AD	TO-247-3
LSIC1MO170T0750 SICFET N-CH 1700V 6.4A TO263-7L Littelfuse Inc.	873 I lager	1 : kr 92,42000 Rör	-	Rör	Aktiv	N-kanal	SiCFET (kiselkarbid)	1700 V	6,4 A (Tc)	20V	1Ohm vid 2A, 20V	4V vid 1mA	11 nC @ 20 V	+22V, -6V	200 pF @ 1000 V	-	65W (Tc)	-55°C-175°C (TJ)	-	-	Ytmontering	TO-263-7L	TO-263-8, D2PAK (7 stift + flik), TO-263CA
LSIC1MO120G0040 MOSFET SIC 1200V 50A TO247-4L Littelfuse Inc.	0 I lager Kontrollera leveranstid	1 : kr 259,40000 Rör	-	Rör	Aktiv	N-kanal	SiCFET (kiselkarbid)	1200 V	70 A (Tc)	20V	50mOhm vid 40A, 20V	4V vid 20mA	175 nC @ 20 V	+22V, -6V	317 pF @ 800 V	-	357W (Tc)	-55°C-175°C (TJ)	-	-	Genomgående hål	TO-247-4L	TO-247-4
LSIC1MO170E1000 SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3L Littelfuse Inc.	0 I lager	450 : kr 33,52398 Rör	-	Rör	Föråldrad	N-kanal	SiCFET (kiselkarbid)	1700 V	5 A (Tc)	15V, 20V	1Ohm vid 2A, 20V	4V vid 1mA	15 nC @ 20 V	+22V, -6V	200 pF @ 1000 V	-	54W (Tc)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Genomgående hål	TO-247AD	TO-247-3
LSIC1MO120E0120 SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3 Littelfuse Inc.	0 I lager	Aktiv	-	Rör	Aktiv	N-kanal	SiCFET (kiselkarbid)	1200 V	27 A (Tc)	20V	150mOhm vid 14A, 20V	4V vid 7mA	80 nC @ 20 V	+22V, -6V	1125 pF @ 800 V	-	139W (Tc)	-55°C-150°C (TJ)	-	-	Genomgående hål	TO-247AD	TO-247-3
LSIC1MO120G0120 MOSFET SIC 1200V 18A TO247-4L Littelfuse Inc.	0 I lager	Aktiv	-	Rör	Aktiv	N-kanal	SiCFET (kiselkarbid)	1200 V	27 A (Tc)	20V	150mOhm vid 14A, 20V	4V vid 7mA	63 nC @ 20 V	+22V, -6V	1130 pF @ 800 V	-	156W (Tc)	-55°C-175°C (TJ)	-	-	Genomgående hål	TO-247-4L	TO-247-4
LSIC1MO120G0025 MOSFET SIC 1200V 70A TO247-4L Littelfuse Inc.	0 I lager	Aktiv	-	Rör	Aktiv	N-kanal	SiCFET (kiselkarbid)	1200 V	100 A (Tc)	20V	32mOhm vid 50A, 20V	4V vid 30mA	265 nC @ 20 V	+22V, -6V	495 pF @ 800 V	-	500W (Tc)	-55°C-175°C (TJ)	-	-	Genomgående hål	TO-247-4L	TO-247-4
LSIC1MO120G0080 MOSFET SIC 1200V 25A TO247-4L Littelfuse Inc.	0 I lager	Aktiv	-	Rör	Aktiv	N-kanal	SiCFET (kiselkarbid)	1200 V	39 A (Tc)	20V	100mOhm vid 20A, 20V	4V vid 10mA	92 nC @ 20 V	+22V, -6V	170 pF @ 800 V	-	214W (Tc)	-55°C-175°C (TJ)	-	-	Genomgående hål	TO-247-4L	TO-247-4
LSIC1MO120G0160 MOSFET SIC 1200V 14A TO247-4L Littelfuse Inc.	0 I lager	Aktiv	-	Rör	Aktiv	N-kanal	SiCFET (kiselkarbid)	1200 V	22 A (Tc)	20V	200mOhm vid 10A, 20V	4V vid 5mA	50 nC @ 20 V	+22V, -6V	890 pF @ 800 V	-	125W (Tc)	-55°C-175°C (TJ)	-	-	Genomgående hål	TO-247-4L	TO-247-4
LSIC1MO120T0120-TU 1200V/120MOHM SIC MOSFET TO-263- IXYS	0 I lager	Aktiv	-	Rör	Aktiv	N-kanal	SiCFET (kiselkarbid)	1200 V	27 A (Tc)	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Ytmontering	TO-263-7	TO-263-8, D2PAK (7 stift + flik), TO-263CA
LSIC1MO120T0160-TU 1200V/160MOHM SIC MOSFET TO-263- IXYS	0 I lager	Aktiv	-	Rör	Aktiv	N-kanal	SiCFET (kiselkarbid)	1200 V	22 A (Tc)	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Ytmontering	TO-263-7	TO-263-8, D2PAK (7 stift + flik), TO-263CA
LSIC1MO120T0080-TU 1200V/80MOHM SIC MOSFET TO-263-7 IXYS	0 I lager	Aktiv	-	Rör	Aktiv	N-kanal	SiCFET (kiselkarbid)	1200 V	39 A (Tc)	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Ytmontering	TO-263-7	TO-263-8, D2PAK (7 stift + flik), TO-263CA

Visar

av 14

Enstaka FET:ar, MOSFET:ar

Fälteffekttransistorer (FET:ar) och MOSFET:ar (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) är olika typer av transistorer som används för att förstärka eller switcha elektroniska signaler.

En FET fungerar genom att styra flödet av elektrisk ström mellan source- och drain-anslutningarna genom ett elektriskt fält som genereras av en spänning som appliceras på gate-anslutningen. Den största fördelen med FET:ar är deras höga ingångsimpedans, vilket gör dem perfekta för användning i signalförstärkning och analoga kretsar. De används ofta i tillämpningar som förstärkare, oscillatorer och buffertsteg i elektroniska kretsar.

MOSFET:ar, som är en undertyp av FET:ar, har en gate-anslutning som är isolerad från kanalen med ett tunt oxidskikt, vilket förbättrar dess prestanda och gör dem mycket effektiva. MOSFET:ar kan delas in i två olika typer:

MOSFET:ar med n-kanal: där elektroner är de primära bärarna.
MOSFET:ar med p-kanal: där hål är de primära bärarna.

MOSFET:ar är att föredra i många tillämpningar tack vare deras låga strömförbrukning, snabba switchning och förmåga att hantera stora strömmar och spänningar. De är avgörande i digitala och analoga kretsar, inklusive strömförsörjning, motorstyrningar och radiofrekvenstillämpningar.

MOSFET:ars funktion kan delas upp i två olika lägen:

Förbättringsläge: I det här läget är MOSFET:en normalt avstängd när gate-source spänningen är noll. Den kräver en positiv gate-source spänning (för n-kanal) eller en negativ gate-source spänning (för p-kanal) för att slås på.
Tömningsläge: I det här läget är MOSFET:en normalt på när gate-source spänningen är noll. Om man lägger på en gate-source spänning med motsatt polaritet kan den stängas av.

MOSFET:ar har flera fördelar, t.ex:

Hög verkningsgrad: De förbrukar väldigt lite ström och kan växla läge snabbt, vilket gör dem väldigt effektiva i tillämpningar för strömhantering.
Låg resistans vid tillslag: De har låg tillslagsresistans, vilket minimerar strömförluster och värmeutveckling.
Hög ingångsimpedans: Konstruktionen med en isolerad gate ger en extremt hög ingångsimpedans, vilket gör dem perfekta för signalförstärkning med hög impedans.

Sammanfattningsvis är FET:ar, och i synnerhet MOSFET:ar, grundläggande komponenter i modern elektronik, och är kända för sin verkningsgrad, snabbhet och mångsidighet i en stor mängd tillämpningar, allt från signalförstärkning med låg effekt till switchning och styrning med hög effekt.

Enstaka FET:ar, MOSFET:ar

INFORMATION

HJÄLP

KONTAKTA OSS

FÖLJ OSS