SEK | EUR | USD
Favorit

IXBK75N170 IGBT 1700V 200A 1040W Genomgående hål TO-264
Pris och upphandling
940 I lager
Kan skickas omedelbart Fabrikslager : 2 625
 

Antal
Alla priser anges i SEK.
Antal Enhetspris Summa
1 468.22000 kr468.22
10 436.78800 kr4,367.88
25 418.48320 kr10,462.08
100 379.25140 kr37,925.14

Skicka en offertbegäran för större kvantiteter än de visade.

IXBK75N170

Datablad
Digi-Keys artikelnummer IXBK75N170-ND
Kopia  
Tillverkare

IXYS

Kopia  
Tillverkarens artikelnummer IXBK75N170
Kopia  
Beskrivning IGBT 1700V 200A 1040W TO264
Kopia  
Tillverkarens standardleveranstid 24 veckor
Detaljerad beskrivning

IGBT 1700V 200A 1040W Genomgående hål TO-264

Kopia  
Kundreferens
Dokument och medier
Datablad IXB(K,X)75N170
HTML-datablad IXB(K,X)75N170
Produktattribut
Typ Beskrivning Välj alla
Kategorier
Tillverkare IXYS
Serie BIMOSFET™
Inkapsling Rör 
Artikelstatus Aktiv
IGBT-typ -
Spänning - kollektor-emitter-genombrott (max) 1700V
Ström - kollektor (Ic) (max) 200A
Ström - kollektor, pulserad (Icm) 580A
Vce(på) (Max) @ Vge, Ic 3,1V vid 15V, 75A
Effekt - max 1040W
Switchenergi -
Ingångstyp Standard
Gateladdning 350nC
Td (på/av) @ 25°C -
Testvillkor -
Omvänd återhämtningstid (trr) 1,5µs
Arbetstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp Genomgående hål
Inkapsling/låda TO-264-3, TO-264AA
Leverantörens enhetsförpackning TO-264
Basartikelnummer IXBK75
 
Miljö- och exportklassificeringar
RoHS-status Uppfyller ROHS3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (obegränsad)
California Prop 65
Du är kanske också intresserad av

IXYX30N170CV1

1700V/108A HIGH VOLTAGE XPT IGB

IXYS

187,15000 kr Mer info

IXYX50N170C

IGBT 1700V 178A PLUS247

IXYS

190,25000 kr Mer info

IXYH30N170C

1700V/108A HIGH VOLTAGE XPT IGB

IXYS

129,07000 kr Mer info

IXGN200N170

IGBT

IXYS

449,30000 kr Mer info

GB50MPS17-247

SIC DIODE 1700V 50A TO-247-2

GeneSiC Semiconductor

274,12000 kr Mer info

IXBH42N250

BIMOSFET TRANS 2500V 42A TO-247A

IXYS

267,51000 kr Mer info
Ytterligare resurser
Standardförpackning 25